- W.O.Camp;李树森;
介绍了一种GaAs单片反馈放大器的设计和结果。主要特点是尺寸小(0.76mm~2)以及五次简单的掩模工艺,以得到尽可能最低的每dB增益的成本。还介绍了对CAD模型特别是电感的改进。
1984年01期 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 238K] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - P.Düême;刘振江;
减小微波单片集成电路的面积对于降低成本是必要的。电路采用最小的电感量,使用螺旋电感器,可减小电路所占面积。当电路紧密凑集时,必须同时把象电感这种辐射性元件之间的耦合考虑进去。这里提供了一个2～10GHz的放大器,测得增益为5.8±0.4dB。经过种种努力,减小了电路所占面积,目前已做出面积为0.16mm~2、集成度为36dB/mm~2的放大器
1984年01期 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 366K] [下载次数：11 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - Vlad Pauker;关久辉;
业已实现增益为15～42dB、覆盖0.1到2直至4GHz频带的二～四级单片放大器系列。由于不使用去耦电容和电感而达到了高密度集成(0.2mm~2的有源面积)。
1984年01期 9-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 224K] [下载次数：14 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - P.N.Rigby;袁明文;
研制了0.6～6GHz单片GaAs FET低噪声反馈放大器。在该频带内,放大器芯片具有6dB增益,4dB左右的噪声系数。在1/2I_(ds)下,获得增益8dB,1dB增益压缩点为21dBm。以目前正在研制的1～10GHz两级单片芯片为例,讨论了这种放大器的设计,该放大器还可以进行级联,获得的总增益最高为50dB左右,纹波±1.5dB。
1984年01期 13-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 536K] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - Y.Ayasli;陈显萼;
论述了2～20GHz频率范围,功率输出250mW的新型单级单片GaAs行波功率放大器。并讨论了功率放大器的设计考虑。
1984年01期 21-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 336K] [下载次数：37 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - A.Platzker;赵正平;
在芯片尺寸为4.3×2.1×0.1mm的GaAs片上设计和制造了工作在X波段的单端宽带功率放大器。该放大器的1dB小信号带宽为2GHz,在频带中心点连续波工作具有9dB增益,大于1.6W的功率输出以及20％的功率附加效率。最近发展起来的,并具有潜在高产能力的Ta_2O_5电容器技术使小芯片尺寸成为可能。
1984年01期 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 205K] [下载次数：42 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - R.G.Freitag;周章文;
高功率宽带单片放大器具有内在的性能限制,为了确保最佳性能和高的成品率,要求特殊的制备工艺和设计方法。本文介绍了“单胞群匹配”的设计方法,解决了功率宽带问题,并且详细讨论了实现这些设计所采用的高成品率的制备工艺。特别详细地讨论了采用“单胞群匹配法”做成的3W、8～12GHz放大器,并报导了初步的测量结果。
1984年01期 29-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 568K] [下载次数：19 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] - D.Paylidis;张俊杰;
用一种新原理来制作以模数树枝状网络设计为基础的GaAs MMIC X波段功率放大器。所谓模数树枝状网络就是模数的数目随放大器级数而增加。最初的实验数据表明在工作频段(8～9GHz)中心的增益为10dB。
1984年01期 34-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 379K] [下载次数：19 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - J.S.Joshi;康长琦;
文献[1]给出了第一个微波单片GaAs FET振荡器的实验结果。概述了振荡器的设计原理,指明了振荡器的设计程序和在半绝缘GaAs衬底上制造各种电路元件的技术,叙述了振荡器的性能并作了评论。
1984年01期 39-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 405K] [下载次数：30 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - C.Tsironis;康长琦;
本文报导的混合集成12GHz接收机电路由两个单栅FET构成前置放大器,一个双栅FET构成振荡器和混频器。电路含有全接收机功能,包括镜频抑制、中频匹配、振荡器稳频和全部FET偏置电路。电路中没有中频放大器。接收机集成在25.4×50.8mm~2氧化铝基片上。在400MHz带宽内变频增益达12～18dB,最佳噪声系数为4.5～5dB。
1984年01期 45-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 410K] [下载次数：28 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - J.culp;孙道云;
<正> 电子系统通常要求成本低、体积小、多功能的组合件。本文将描述一个4GHz全单片接收机,它作为集成电路组合件适用于各种微波系统。单片接收机做在1.6mm~2的GaAs片上,其中包括一级双平衡混频器和5级射频放大器,图1说明,当把混合电路制成单片电路便可实现大量节约。单片接收机的研制成功为微波电路的设计者提供一种方便,即在设计数字和低频模拟电路系统时,预先就可以知道集成电路的性能和优点。如图2所示,单片接收机是在未掺杂的GaAs液相外延片上采用选择离子注入技术制
1984年01期 49-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 415K] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - Shigekazu Hori;陈优军;
采用GaAs单片微波集成电路(MMIC)技术,研制出用于直播卫星(DBS)家庭接收机的12GHz低噪声放大器(LNA)、1GHz中频放大器(JFA)以及11GHz介质谐振振荡器(DRO)。每一个单片集成电路芯片都包含有源元件FET,以及单电源工作所需的自偏置源电阻和旁路电容。它还包含隔直电容和射频旁路电容。三级LNA在11.7～12.2GHz范围内具有3.4dB噪声系数和19.5dB增益。三级负反馈型的IFA在0.5～1.5GHz范围内,其噪声系数和增益分别为3.9dB和23dB。介质谐振振荡器(DRO)在10.67GHz频率上给出10mW的输出功率,在-40～+80℃的温度范围内频率稳定度为1.5MHz。由这些单片微波集成电路(MMIC)构成的直播卫星接收机,在11.7～12.2GHz内总噪声系数≤4dB。
1984年01期 51-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 567K] [下载次数：23 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - R.C.Clarke;张瑞华;
在最近高阻半绝缘PBN LEC GaAs作为注入基质和稳定介质的可达性基础上,研制了一种离子注入GaAs的高温无盖层的活化方法。这种新的无盖层工艺,“短暂的无盖层退火”方法已经显示出很强的注入剂量活化作用(85％),同时具有很高的均匀性(±4.5％),在1.5×10~(17)cm~(-3)的情况下具有很陡(500(?)/十倍)的载流子浓度深度分布。在肖特基势垒表面耗尽层深度小于1000(?)时,由活化薄膜得到的霍尔测量结果给出室温下的电子迁移率为4500cm~2/V·s。用非连续注入~(29)Si~+的短暂的无盖层退火方法制造的S波段集成电路,在3.0～3.6GHz之间提供出20dB的增益和29dBm的输出功率。短暂无盖层退火的高生产率,批量加工的特点使这种工艺对于高成品率的GaAs集成电路生产来说具有工业上的吸引力。
1984年01期 59-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 515K] [下载次数：15 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - Raymond S.Pengelly;李浩模;
近几年来,微波杂志和通俗期刊的读者已经注意到微波研究和发展的一个重要领域——GaAs单片微波集成电路(MMIC)。这些MMIC的工艺和电路设计技巧已影响到很多微波领域的部门,而它们以前是采用普通混合微波集成电路(MIC)或波导元件和系统的。现在,MMIC工艺和电路设计的发展已经表明了高达大约35GHz的惊人结果,其电路设计更多地借助于计算机辅助测试(CAM)和计算机辅助设计(CAD)。到目前为止,大概MMIC最感兴趣的方面是这种单片集成的方式,其中,GaAs MES FET被用于完成多种功能,如:放大、变频、振荡、相移、开关等,特别是在许多情况下,在这些特殊电路范围内,FET优于其它器件。虽然批量生产GaAs MMIC有希望成为一种价格低、性能好、尺寸小和可重复的好方法(这类似于以前的硅集成电路),但对于微波工业,通常还有大量的要求不能满足。另外,混合MIC装配的惊人技艺已在世界范围内建立,而且,对于特殊要求的微波元件,混合MIC可以提供最佳的解决办法。因此,很自然地,许多微波工艺部门持怀疑的态度来看待MMIC,并指出这种特殊方法的缺点。MMIC的设计者们则保持强有力的步调,而致力于混合MIC的设计者们却不断地改善其能力,以生产更多成熟的、小型的和廉价的元件。本文评论了这两种生产微波元件的方法的相对优点和现状,得出了有关这两种竞争工艺前景的几点结论。
1984年01期 65-85页 [查看摘要][在线阅读][下载 1975K] [下载次数：52 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] 下载本期数据