- 齐学参;
本文介绍了用MBE技术制作半导体超晶格和量子阱材料的进展,以及在高速电子器件和光学器件方面的应用。
1991年03期 1-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 682K] [下载次数：249 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 廖先炳;李蔚;
本文从已取得的初步进展论证1.3～1.6μm波长的全Si集成光路的可行性。重点论述构成全Si集成光路的基础元件,如光波导、调制器、光开关、光源和探测器等的可行性以及实现的方案。
1991年03期 13-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 366K] [下载次数：44 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 张秀澹;
本文简要叙述高压集成电路、智能功率集成电路等功率集成电路的工艺、结构、特性以及它们的应用领域和应用实例。
1991年03期 20-25+19页 [查看摘要][在线阅读][下载 302K] [下载次数：315 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：1 ] - 苏世民;
本文描述了近年来高密度封装中出现的新技术、新结构,如载带自动键合技术(TAB)、带线四边有引线扁平封装(TQFP)和多芯片模块(MCM)结构等。论述了高密度封装的设计考虑及材料的选择。并且指出,只有低介电常数且制成薄膜的聚酰亚胺介质材料才能提高封装密度。
1991年03期 26-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 953K] [下载次数：79 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 苏里曼;
提出和制作了准平面型InAlAs/InGaAs异质结双极晶体管。该管主要采用硅离子注入法在半绝缘磷化铟衬底中形成隐埋型集电区以代替台面型集电区。晶体管的实测结果如下:h_(fe)=100,f_T=10GHz(V_(CE)=3V,I_c=10mA)。作为单片光电集成方面的实例,研制成功了由三个InGaAs/InAlAsHBT和一个电阻组成的激光器驱动电路,其电流调制速率高达4Gbit/s。
1991年03期 34-39+33页 [查看摘要][在线阅读][下载 850K] [下载次数：43 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 何家骐;刘玲;薛勇健;高学邦;吴洪江;
本文介绍了一个建立在HP工作站上的MIC,MMIC,GaAs VHSICCAD软件包。它包括宽带匹配网络综合程序(CADSYN)、线性电路分析及最优化设计程序(LANOP)、非线性电路分析程序(HB和NLCAD)、砷化镓超高速集成电路分析程序(MSINC和SP ICE3A713)以及一些专用的子程序。每个程序都经过多年的实际应用,并为微波及超高速集成电路的研制提供了精确的设计依据。本文着重介绍以上各程序的功能和特点,并以实例给出程序的实用情况。
1991年03期 40-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 398K] [下载次数：17 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 杨克武;刘福顺;綦素琴;廉亚光;
采用SiH_4,N_2O和NH_3反应气体生长了Si_xO_yN_z膜,其特性取决于反应气体流量、射频功率、反应室压力和衬底温度。用折射率为1.71的Si_xO_yN_z做GaAs注Si~+包封退火膜,它比SiO_2或Si_3N_4有更高的电激活。该膜作为互连隔离介质已用于GaAs高速电压比较器。实验结果表明:Si_xO_yN_z是一种有希望的介质膜。
1991年03期 48-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 205K] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 廉亚光;
在GaAs IC的实际制作中,通过采用氯代苯对AZ-1350J光刻胶进行表面韧化处理,得到一近似的负窗孔,并在二次连线时,成功地剥出了最小间距为4μm和最细线条为3μm的TiPtAu条。
1991年03期 53-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 193K] [下载次数：62 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - N.Ishihara;王柏年;
应用AlGaAs/GaAs HBT技术,以单片形式开发了一种宽带、可控增益放大器。这种放大器采用一种新的并联反馈技术,它能提高带宽,并能控制增益使直流电压输出保持为常数。这种IC的带宽已达DC-9GHz,可控增益范围达到8～20dB,在电源电压为9V时,总的功率耗散为640mW。
1991年03期 57-58+56页 [查看摘要][在线阅读][下载 146K] [下载次数：60 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 稻田雅纪;何恩生;
<正> 1 前言异质结双极晶体管(HBT)早已是人们所期望的超高速、超高频器件。最近已经试制出电流增益截止频率F_T和最高振荡频率F_M分别超过100GHz的AlGaAs-GaAs系HBT。由于能够把HBT的基极电阻、基区渡越时间及发射极-基极结电容做得很小,所以从本质上讲;HBT具有充当高速器件的有利的一面,但为了更有效地利用好
1991年03期 59-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 325K] [下载次数：85 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] 下载本期数据