- 王长河;黄忠升;赵丽华;周荷秀;李继国;
航天技术的飞速发展对电子系统的固体化、小型化提出越来越高的要求。在宇宙空间工作的电子器件将受到各种射线及高能粒子的辐照。本文主要研究双极型晶体管在高能中子辐照下电参数的变化情况及提高器件抗中子辐照能力的措施。
1986年04期 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 229K] [下载次数：72 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ] - 黄忠升;李继国;周荷秀;赵丽华;王长河;
本文介绍双极型晶体管在大信号工作时由于内部存在着非线性效应,使得输出波形产生了畸变。为了改进线性性能可采取基区高浓度掺杂,薄而高掺杂的外延层提高器件大电流性能,已研制出在2GHz下,1dB压缩点输出功率P_(-1)=500mW、增益G_p=8dB、动态线性范围大于20dB、1dB压缩点时集电极效率大于30％。
1986年04期 5-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 269K] [下载次数：10 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 罗海云;陈显萼;张俊杰;刘玉贵;
本文叙述微波功率双栅MES FET的设计与制造。介绍了实验结果。器件微波性能已达到10GHz下输出功率188mW,相应增益达9.7dB。用已定型的器件产品组成单级可变增益放大器,在9.952GHz下,输出功率大于100mW,相应增益达8dB,增益控制范围达30dB以上。
1986年04期 11-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 654K] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] - 李顺利;王桂兰;杨瑞麟;
本文报导了用CVD的方法在InP、InGaAsP四元层表面淀积Si_3N_4薄膜的工艺。并对影响Si_3N_4薄膜的淀积速率、折射率、腐蚀速率的各种因素进行了实验和分析。实验结果表明:用该方法所淀积的Si_3N_4薄膜,重复性、均匀性都较好,该薄膜已较好地用于激光器的研制中,作为窄条光刻腐蚀保护膜和扩散掩蔽膜,得到了理想的效果。
1986年04期 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 631K] [下载次数：24 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 杨克武;
本文介绍了以宽禁带发射极晶体管为重点的六种异质结双极晶体管(HBT)的一般设计原则。为说明这一原则还给出了一个高速开关HBT的设计实例。
1986年04期 22-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 284K] [下载次数：48 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - Ajit G. Rode;汤西英;
1974年首次论证了GaAs的高速性能。从那时起,随着市场的稳定,GaAs数字集成电路已从实验室小规模实验转到实际制造工艺中。现在能制造LSI GaAs IC,并且正在研究VLSI结构。本文描述了几种数字集成电路的工艺技术,并讨论了典型应用及其结果。还讨论了生产GaAs IC所用的设备和仪器的制造设想。
1986年04期 27-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 824K] [下载次数：57 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 相进;
<正> 1984年度GaAs IC已达到商品化水平,因此研究其成品率和封装问题是十月二十三～二十五日在波士顿召开的IEEE GaAs IC会议的主要宗旨。现在,GaAs IC已走出实验室从“是否能制造?”阶段转变到“它们能做些什么?”,“它们能用于何处?”的问题上了。在一篇特邀文章中,Robert Pucel探讨了CAD和模拟软件在MMIC设计和制作中所起的作用。他总结道,要设计真正经济有效的电路,则要改变MMIC设计的基本出发点。这种改变是根据工艺变量的容许偏差去研究电路设计,而不是根据电路的绝对性能参数进行研究。根据Pucel的这一结论,从器件性能数据中去除测试夹具的寄生参量是必不可少的步骤。
1986年04期 34-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 687K] [下载次数：6 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - L. C. T. Liu;袁明文;
设计和制造了频率覆盖范围8～18GHz的宽带单片低噪声放大器。通频带内,其噪声系数小于4.3dB,相关增益8.5dB。新设计的低噪声放大器用于W波段(75～110GHz)接收机作为中频放大器。该放大器的射频性能适用范围宽,并且可以作为廉价的增益功能块。
1986年04期 38-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 704K] [下载次数：44 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - Hiroshi Ito;曾庆明;
研究了AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的电流增益和AlGaAs/GaAs异质结二极管(HD)的发光强度随偏压的变化。HBT的发射板-基极结的理想因子接近于1,这与HD中发光强度随偏压的变化关系相一致。重掺杂基区HBT电流增益的降低被认为是基区中非辐射复合电流所引起。在基区掺杂为2×10~(10)cm~(-3)的HBT中得到80的高电流增益。
1986年04期 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 180K] [下载次数：50 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - G. Greeuw;周文媛;
在500～1000℃的温度范围内,把经热生长二氧化硅膜的单晶硅片置干氮中退火,然后用电子束蒸铝制成MOS结构。用三角波电压扫描法(TVS)测量可动离子密度(N_m),发现N_m的最大值出现在600～800℃的退火温度之间。用HF溶液腐蚀炉管可减小N_m和退火温度对N_m的影响。改变退火时间(30和120min)和气氛(O_2,O_2+2％C_2H_3Cl_3),N_m没有明显变化。双重温度退火的实验表明:铝金属化前的最后一次退火决定可动离子沾污水平。提出了一个定性的平衡模型来解释我们的实验结果。
1986年04期 47-50+53页 [查看摘要][在线阅读][下载 258K] [下载次数：98 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ] - Toshiro Hiramoto;张伟;
用卤素灯在砷气压下对注Si~+的GaAs进行快速热退火,以研究退火温度和退火时间对薄层载流子浓度和迁移率的影响。注入层的激活率主要受退火温度的影响,与退火的持续时间几乎无关。在800℃退火30分钟,GaAs的表面形态是平滑的,这表明了砷气压的存在防止了砷原子的蒸发,并使注入层能在高温下长时间退火而不会出现表面离解和电性能的下降。在GaAs中注入Si~+的激活能为0.53eV。
1986年04期 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 151K] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - F. N. Sechi;罗英花;
<正> 一、引言现代微波电路技术正朝着高集成度、小尺寸的方向发展。因此,人们有可能获得成本低、可靠性高的多功能及有效的工作。一般来说,为了实现这一目标,目前正集中力量研制单片微波集成电路(MMIC)和微型电路。为了将单片技术的许多优点(如便于成批制作、尺寸小和重量轻)与采用分别焊接有源器件的混合技术的灵活性相结合,我们已研制了一种新的氧化铍混合技术,即微型BeO电路(MBC)。 MBC组件的制作及组装工艺重复性高,适合于超高频到K波段频率范围内的低成本生产。尽管MBC技术较之类似的以厚膜、分立元件、包封接地为基础的工艺更复杂些,但它具有更高的集成度和较少的附加结构。
1986年04期 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 458K] [下载次数：19 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] -
<正> 金属有机物化学汽相淀积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 它作为生长GaAs晶体的大量生产技术,从十几年前就开始研究了,近年来在生长异质结用的晶体方面,研究活动更为活跃。生长Ⅲ-Ⅴ族化合物,可采用Ⅲ族金属元素的有机物(三甲基镓等)和Ⅴ族元素的氢化物(砷烷等)气体的热分解反应。目前正研究比较它与MBE的优缺点。一般认为优于MBE的地方是:(1)可以用控制气体流量的方法来控制组成和杂质的掺杂量;(2)可采用比较简单而廉价的装置;(3)生长速度快、操作时间短等。这些都是适于大量生产的条件。本方法还有其他名
1986年04期 58-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 211K] [下载次数：31 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 戴玲华;
<正> 本器件采用了浅而平坦的P阱结构。象素数目是510(水平)×490(垂直),总共约25万个。器件的水平分辨率超过330条电视扫描线,孔径率高达34％,被摄物体的最小照度(F1.4,S/N35dB)71x,弥散也被控制在0.02％以下。象素的大小是17.2μm(水平)×13.5μm(垂直),根据2/3英寸光学系统和NTSC方式,所以
1986年04期 60页 [查看摘要][在线阅读][下载 70K] [下载次数：12 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 苏世民;
<正> 随着微波技术的发展,谐振腔已逐渐被介质谐振器取代。它为小型化地面站提供了简单而便宜的振荡器、机载滤波器和多路调制器。本文介绍了介质谐振器的几种调谐方法以及与
1986年04期 60页 [查看摘要][在线阅读][下载 70K] [下载次数：59 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 戴玲华;
<正> NEC用每秒1.2千兆bit的超高速InP光电集成电路(OEIC),成功地进行了千兆bit领域内的长波长光纤传输实验。传输距离是过去0.08μm波段光纤的12倍,可能进行12公里或更长距离的传输。发光用OEIC由一个1.3μm波长的半导体激光器和三个作驱动用的异质结双极晶体管组成,被集成在350μm×900μm的芯片上。这个电路用液相外延制成,当批量生产时可考虑采用MOCVD法。受光用OEIC由一个PIN光电二极管和三个放大用的FET组成,被集成在600
1986年04期 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 41K] [下载次数：5 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 戴玲华;
<正> NEC试制成功的CCD摄象器是在一个芯片上集成了1280(水平)×970(垂直),共计约124万个象素。作为摄象传感器来说,这个数目在当今世界上是最高的。本器件采用垂直型溢出漏的结构。估计大约需要二、三年的改进,才能进入实用阶段。它将适用于高分辨率视频摄象机,OA机器,图象处理,工业机器人等领
1986年04期 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 41K] [下载次数：9 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 苏世民;
<正> 据日本富士通公司报导,近五年来为实现高速计算机、高速数据处理及高性能系统做了种种努力。近来取得了较大突破,尤其在亚微米技术方面。这是实现大规模集成的重要里程碑。在液氮温度(77K)下,开关时间可达8.5ps,室温下为12ps。这表明该器件不仪在低温下有很大优点,而且在正常温度范围确实也具有超高速性能,从而大大扩展了HEMT的温度使用范围。本文就其基本原理、结构、材料和
1986年04期 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 41K] [下载次数：99 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 苏世民;
<正> 陶瓷衬底被广泛用于集成电路,由于它有较高的热导率,这就能满足高密度封装和高功耗器件。本文论述了一种矩形热源,任意装配在该衬底上的温度分布的计算方法,为表面装配的
1986年04期 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 41K] [下载次数：32 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] 下载本期数据