- 王超义;陈沐章;宋健;金贵林;戴洪波;刘玉贵;
本文概述了红外对准光刻机的对准原理,分析了微动工作台的特点,对本机的电控系统及红外对准光学系统、曝光系统都作了探讨与总结、对机器总体结构及应用效果也作了叙述。
1988年04期 1-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 342K] [下载次数：64 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 高云霄;李中南;何梅芬;
本文用双室Ga/AsCl_3/H_2开管系统实现了各种等电子掺杂浓度的GaAs汽相外延,并首次对此进行了较为详细的动力学理论和实验研究。对少量的In在GaAs外延层中的行为及其机理进行了初步探讨,提出了等电子掺杂使位错线附近In杂质凝聚,导致外延层中位错密度减小的观点,通过等电子掺杂技术,与相同工艺条件下的普通外延层相比,其迁移率提高60％,位错密度下降1/2,杂质含量和深能级信号明显减少。以此为缓冲层,制备的Si/n~-/n/n~+多层结构GaAs材料,用于高频低噪声场效应器件,夹断干脆,饱和特性好,单位栅宽跨导提高20％。
1988年04期 8-11+7页 [查看摘要][在线阅读][下载 245K] [下载次数：14 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] - 关兴国;李中南;章其麟;
使用MOCVD技术生长GaAs,结果表明,纯度GaAs中起支配作用的电活性杂质是C和Si。综合C和Si的作用,建立了简单的热力学模型,得到As/Ga比对载流子类型和浓度影响的解析表达式,并且与实验结果符合得很好。生长的GaAs外延层室温载流子浓度为9×10~(14)cm~(-3),迁移率为5100cm~2/V·s。
1988年04期 12-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 272K] [下载次数：21 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 冯春阳;邓先灿;
用参数补偿式来实现高精度集成运算放大器是一种较好的低漂移方案。由于无法识别齐纳二极管短路内调零的最佳调零组态,以致于产品的优品率较低,不利于批量生产。本文针对这一难题,根据齐纳二极管短路内调零的基本原理,独立地设计了系统的硬件和软件。系统完整地模拟了集成运放齐纳二极管短路内调零的各种可能组态,并进行了优化,实验结果符合实际状况,系统具有快速可靠自动的特点,大大提高了工作效率,提高了器件优品率和可靠性,为今后生产高精度集成运放提供了一种新的CAD/CAM手段。本文将微机应用于工艺过程中来控制集成运放的失调漂移,在已见到的文献中,尚属首次。
1988年04期 18-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 317K] [下载次数：43 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 苏世民;
<正> 据Gamma Microwave公司报导,一系列固体锁相VCD和DRO可用来取代谐振腔振荡器。这种组件能给出内外参照电压。非寄生谐波输出高达-80dBc、典型的X波段单边带相噪声在100kHz的载波频率下为-118dBc/Hz。另据该公司报导,其微波振荡器的频率稳定性高于25ppm,适用于18～23GHz的
1988年04期 25页 [查看摘要][在线阅读][下载 41K] [下载次数：40 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 苏世民;
<正> 据TRW RF器件公司报导,C类射频功率晶体管工作在2.3～2.7GHz,输出功率高达12W,典型的增益为6.8dB。在整个带宽内效率高于40％。增益、带宽和输出功率可根据用户要求进行调节。该器件的集电极电压
1988年04期 25页 [查看摘要][在线阅读][下载 41K] [下载次数：19 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 王令;
<正> 据报道日本东芝采用了非晶硅膜,研制成高灵敏度并有200万象素的CCD摄象器。该摄象器采用了对于从外部来的光有高灵敏度的非晶硅膜。有2台阶结构。因此,象素中受光部占有的孔径率为100％,从光转到电信号的转换效率为60～70％。采用了1μm的微细加工技术,在16.2×10.5mm芯片上集成了200万个象素。还将存贮型二级管布置成锯齿形,使得
1988年04期 25页 [查看摘要][在线阅读][下载 41K] [下载次数：8 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 张汉三;
本文从频率、噪声和功率诸方面评述了毫米波场效应晶体管的研究与进展。涉及的器件主要有:GaAsMESFET、HEMT、PHEMT、多沟道HEMT和OGST等。
1988年04期 26-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 450K] [下载次数：30 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - Myung S. Bae;钱小工;
八十年代初,南朝鲜在半导体方面的活动仅限于生产分立器件和国外器件的封装。而现在,南朝鲜的公司已处于即将引入4兆位DRAM的阶段。本文叙述了南朝鲜电子工业、特别是半导体工业的历史,提供了南朝鲜半导体公司的背景资料,并讨论了工业中的普遍问题及将来可能的发展方向。
1988年04期 33-38+17页 [查看摘要][在线阅读][下载 328K] [下载次数：27 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] - B. Kim;樊元东;
本文给出了GaAs双栅场效应晶体管的高频等效电路模型以及输入/输出阻抗、跨导,单向增益、稳定因子等的解析表达式。在低频时,双栅场效应晶体管的增益高于单栅场效应晶体管,但是由于第二栅的电容分流效应,随着频率的增加双栅场效应晶体管的增益急速下降。我们研制了可用于K波段可变增益放大器中的双栅功率场效应晶体管,该器件总栅宽为1.2mm,在10GHz下,输出功率为1.1W,增益为10.5dB,附加功率效率为31％。同样栅宽的器件。在20GHz下,输出功率为340mW,增益为5.3dB。在K波段,动态增益控制范围可达45dB,在最初的增益控制变化10dB范围内,其插入相位变化不超过±2°。
1988年04期 39-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 449K] [下载次数：47 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - Mohammad Madihian;相进;
文章采用二维异质结构器件模拟程序和异质结双极晶体管电路模拟程序,对新近提出的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的设计、制作和模拟制定了系统的研究方法。所研制的HBT有一突变的发射极-基极异质结,并且采用一种新颖结构——在两个发射极电极之间夹入一个基极电极。对已制成的3×8μm~2双发射极HBT进行了测量,其电流增益截止频率f_T=45GHz,最高振荡频率f_(max)=18.5GHz。分频器电路模拟结果指出,研制成的HBT的速度是两个基极电极之间夹入一个发射极电极的普通HBT的1.4倍。
1988年04期 45-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 491K] [下载次数：24 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - P·H·Singer;汤西英;
随着材料质量的不断改进,最近研制出一种特别适合于集成光电子学的廉价衬底。众所周知,GaAs和Si相比,前者的光学和速度特性都优于后者,但它的热性能、绝缘性能及脆性都不如硅好。这种新研制的Si上GaAs则是集这种材料的特性于一体,深受广大制造者和用户的青睐。本文就目前世界上对Si上GaAs的研制工作作了概述,并对目前存在的工艺问题如晶格失配及减小位错密度的问题进行了讨论。实验证明采用MBE和MOCVD在Si上直接制作GaAs,其工艺简单,生长效果好。目前在Si(100)上制作的GaAs,其位错密度只有10~6/cm~2(要求值为10~4/cm~2)。预计Si上GaAs将是未来GaAs市场上的佼佼者。
1988年04期 55-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 286K] [下载次数：22 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] - C. B. Cooper;李松法;
贯穿晶片的穿孔连接可以为GaAs FET提供低阻抗接触,从而明显地改进器件的特性。本文描述了在低压SiCl_4/Cl_2混合气体中简单的厚层正性光刻胶作掩模与反应离子刻蚀相结合的用法。这种工艺提供可控的穿孔剖面,适用于贯穿100μm厚的衬底做连接,它在单片分布放大器制造中的应用使增益有明显的改善。
1988年04期 60-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 275K] [下载次数：56 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 王令;
<正> 据报道日本松下电器产业做成了100K的Bi系陶瓷多晶薄膜。认为临界电流也和Y系同级别,比Y系的温度高10K。薄膜系用氧化镁单晶和氧化锶单晶做在衬底上。用磁控管溅射法做Bi系高温超导陶瓷(组分Bi-Sr-Ca-Cu-O,Bi:Sr:Ca:Cu=1:1:1:2)。膜厚2500A(多晶)。
1988年04期 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 47K] [下载次数：28 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] - 宁众;
<正> 日本研究和发展公司已找到在低压和低温下制作集成电路用的金刚石薄膜的方法。该公司已生产出一批商用产品,并改进了涂敷的均匀性。这种金刚石具有与天然金刚石完全相同的质量。在0.1个大气压下对甲烷和氢的气体混合物加微波,即可制成这种金刚石。
1988年04期 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 47K] [下载次数：26 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 宁众;
<正> 据报导,美国桑迪亚国立实验室已研制成一种新的多应变量子阱场效应晶体管。这种晶体管是具有两个平行的10nm量子阱的GaAs/In_(0.2)Ga_(0.8)As结构,用Be从顶部和底部进行调制掺杂。晶体管的栅为1×150μm~2Ti/Au、
1988年04期 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 47K] [下载次数：32 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 宁众;
<正> 在1～1.65μm波长范围内工作的光波通讯系统,需要高速、低噪声的InGaAs光电探测器。与在相同波长范围工作的雪崩光电二极管相比,p-i-n光电二极管具有暗电流低、频率带宽大等优点。最近美国贝尔实验室针对光波通讯的需要,已研制成具有上述优点的p-i-n光电二极管。这是一种平面的、Zn扩散的InP/InGaAs
1988年04期 65页 [查看摘要][在线阅读][下载 33K] [下载次数：103 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] 下载本期数据