- 翁寿松
2001《国际半导体技术指南(ITRS)》规划出半导体技术未来15年内的发展。它主要强调芯片特征尺寸的进一步缩小,2001年0.13μm,2004年90nm,2007年70nm,2010年50nm,2013年30nm,2016年22nm。阻碍芯片特征尺寸缩小的关键是光学光刻技术,为此,世界各强国加速开发下一代光学光刻技术,如157nm光学光刻、电子束光刻(EBL)和极紫外线(EUVL)光刻等。展望了缩小芯片特征尺寸的前景和存在的问题。
2002年11期 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 203k] [下载次数：237 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：15 ] |[阅读次数：1 ] - 符秀丽,王太宏
摘要:介绍了原位电化学方法在半导体表面制备纳米尺寸肖特基势垒的工艺,讨论了其制备原理和实验条件,描述了纳米尺度金属/半导体界面特性,并对这种方法制备的肖特基势垒与传统方法制备的肖特基势垒进行了比较,这种制备肖特基势垒的方法克服了传统制备方法的缺点,所形成的金属-半导体界面光滑无缺陷;生成的纳米尺度金属肖特基势垒可用于制备单电子晶体管、单电子存储器等纳米器件。
2002年11期 5-9+44页 [查看摘要][在线阅读][下载 404k] [下载次数：147 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：1 ] - 欧文
快闪存储器由于其所具有的非挥发电可编程和片擦除特性,在嵌入式应用中有望取代SRAM、DRAM以及磁性存储器,并愈来愈受到重视,产品的市场占有率稳步上升,近10年来发展迅速。随着嵌入式系统和移动设备的发展以及集成电路特征尺寸的进一步缩小,在现有基础上对嵌入式存储器又提出了新的要求,主要有两条:更低的工作电压和更快的擦写速度。为满足这些要求,国际上在快闪存储器单元结构和相应的工艺实现方法上开展了大量的工作。对快闪存储器结构方面的研究进行了综述,以利于国内同行对该领域及快闪存储器的机理和研究方向有一个较全面的了解。
2002年11期 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 274k] [下载次数：86 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：1 ] - 孔祥贵,王新,安利民,单桂晔,胡斌,金长清
在共混的两种低维聚合物量子线中,采用分子自组装技术制备了嵌段低维聚合物纳米线的异质结构,通过对室温下吸收光谱、发光光谱和激发光谱的研究,证实了在这种嵌段低维聚合物纳米线的异质结构中存在很强的激子限域效应以及链内和链间的能量传递效应。
2002年11期 14-17+35页 [查看摘要][在线阅读][下载 347k] [下载次数：129 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] - 朱棋锋,邱法斌,全宇军,徐宝琨
摘要:采用以无机盐为基础的新型溶胶-凝胶法合成了固体电解质NASICON材料。合成过程中,通过向原溶液中添加草酸作络合剂,有效降低了烧结温度,缩短了烧结时间。实验中,利用XRD、TEM等分析测试手段对草酸络合剂以及合成产物的影响情况进行了对比研究,对络合剂的作用机理进行了讨论。
2002年11期 18-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 236k] [下载次数：88 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：1 ] - 王梦魁
重点研究由CdO-SnO2-WO3系列(以下简称Cd-Sn-W)和CdO-Sb2O3-WO3系列(以下简称Cd-Sb-W)及由它们共同组成的双基体三相(Cd2Sb2O7、CdSnO3、CdWO4)结构线性敏感陶瓷的制备方法。给出了上述半导体陶瓷的电子转移式;分析了半导相Cd2Sb2O7和CdSnO3的导电机理和电阻-温度(R-T)曲线呈线性的机理,并对其他特性进行了深入的分析和研究。
2002年11期 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 330k] [下载次数：68 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 何洪涛,徐永青,杨拥军,吕苗,郑锋,吝海峰
提出了一种体硅微加速度计的设计和制造方法,同时设计了它的闭环反馈伺服电路,分析了加速度计的质量块、悬臂梁和梳尺间隙对量程、非线性、灵敏度、抗冲击能力和带宽等特性的影响。已经加工出的微加速度计,其全量程为±60g,非线性度0.2%,带宽1kHz,灵敏度200mV/g,抗冲击能力10kg。对由加速度计结构设计、温度和伺服电路造成的零位漂移现象进行了分析,提出了一种制造微加速度计的新颖MEMS工艺———正面释放体硅工艺。
2002年11期 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 331k] [下载次数：364 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：14 ] |[阅读次数：2 ] - 徐爱东,郭贺军,吕苗,胡小东,邹学锋
介绍了一种新型的隔离放大电路,采用微机械开关实现“飞电容”结构。这种隔离放大电路具有许多优点:电路结构简单、尺寸小、成本低、隔离电压高、电磁兼容性能优良,很容易组成多通道隔离电路等;在30V驱动电压下测试,微机械开关的延时小于50μs,隔离电压大于110V。对设计、制造出的微机械开关隔离放大器进行了测试,证明该电路的精度优于2%。
2002年11期 29-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 571k] [下载次数：86 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：2 ] - 杜惊雷,石瑞英,崔铮,郭永康
计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近效应校正掩模在加工过程中所产生的畸变对传递到最终基片上的图形的影响。模拟分析指出,掩模加工中的邻近畸变应在设计光学邻近校正掩模时予以注意,即在掩模设计时,应把掩模加工中的邻近效应和光刻图形传递过程的邻近效应进行总体考虑,以便设计出最优化的掩模,获得最好的邻近效应校正效果。
2002年11期 36-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 361k] [下载次数：229 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：1 ] - 王泗禹,康剑
与传统湿法腐蚀比较,干法刻蚀具有各向异性、对不同材料选择比差别较大、均匀性与重复性好、易于实现自动连续生产等优点。目前,刻蚀技术已经成为集成电路生产中的标准技术,干法刻蚀设备亦成为关键设备。本文对半导体生产中刻蚀的原理、分类,结合生产实际对刻蚀工艺进行了较系统的论述,并介绍了随着硅片尺寸的增大,工艺线条进入亚微米级时代,相应刻蚀设备的发展趋势。
2002年11期 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 308k] [下载次数：969 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：31 ] |[阅读次数：1 ] - 2002年11期 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 117k] [下载次数：19 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ]
下载本期数据