期刊信息
期刊名称：微纳电子技术
曾用刊名： 半导体情报
创刊时间：1964年
更名时间：2002年
主管部门：中国电子科技集团公司
主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
出版日期：每月15日
ISSN：1671-4776
CN：13-1314/TN
邮发代号：18-60
网址：www.bdtq.cbpt.cnki.net
e-mail：wndz@vip.sina.com
电话：0311-87091487
地址：石家庄市179信箱49分箱
邮编：050051
网站访问量
今日访问量: 21
人工智能大语言模型、具身智能和AI芯片的新进展(续)
赵正平;以ChatGPT和Deep Seek为代表的大语言模型(LLM)、具身智能和人工智能(AI)芯片的新发展标志人工智能在向“通用人工智能”发展目标又有了新的进步。综述了人工智能大语言模型、具身智能和AI芯片的最新进展和发展趋势。在人工智能大语言模型领域,包含DeepSeek LLM“现象级”崛起与GPT5的发布、性能改进、安全性提高和深度应用等方面的新进展和发展趋势。在具身智能领域,包含基本概念和发展远景、框架和算法、具身智能加大语言模型、具身智能在人机交互、环境与伦理和具身智能结合LLM的应用创新等方面的新进展和发展趋势。在AI芯片和量子神经网络领域,包含数字AI芯片、原子级环栅(GAA)新架构工艺、模拟AI芯片、光子神经网络与光子AI芯片以及量子神经网络与应用创新等方面的新进展和发展趋势。
电迁移现象的机理及其应用研究进展
陈研;刘大治;邬宇彤;鹿业波;孙权;阐述了传统集成电路和新兴柔性电子互连电路中电迁移失效现象和机理的研究进展。研究表明,高电流密度下的金属互连电路的电迁移失效本质上是电子风力、热迁移、应力迁移和化学迁移等多种机制综合作用的结果。介绍了基于原子通量散度法的考虑四种迁移机制的电迁移失效有限元仿真理论方法,重点探讨了电迁移机制在微纳米结构自生长制备方面的应用研究进展,以及电迁移机制在金属材料微观结构改性及裂纹修复领域的研究进展和应用前景。
β-Ga_2O3 MOS界面缺陷表征方法研究进展
张雲龙;马培培;β-Ga_2O3 MOSFET凭借其高击穿电场强度、低导通电阻和较低的材料成本等优势,在高压及大功率应用领域展现出重要的应用前景。然而,在强电场、高低温循环等苛刻工作条件下,界面缺陷会显著影响器件性能,引发阈值电压漂移和击穿电压退化等可靠性问题。鉴于陷阱效应是制约β-Ga_2O3 MOSFET可靠性的核心因素,系统综述了β-Ga_2O3 MOS结构中典型的界面缺陷表征方法,从测试原理、适用场景与技术特点等方面对各类方法进行了对比分析。其中,传统表征手段(如Terman法、高低频电容-电压(C-V)法、电导法)适用于提取界面态密度,但难以探测深能级缺陷;而新兴技术(如深能级瞬态光谱法(DLTS)、深紫外光辅助C-V法)不仅能够精准表征深能级缺陷,还能获取缺陷的能级位置、俘获截面等信息。在总结当前β-Ga_2O_3MOS界面缺陷研究进展的基础上,对界面质量优化的关键研究方向进行了展望,以期为提升β-Ga_2O3 MOSFET的长期可靠性提供理论参考。
半导体制程用UV减粘膜综述
张宁;刘智昊;项奎;阐述了半导体制程用紫外(UV)减粘膜的结构及其在UV辐照前后粘着力骤变的反应机理,介绍了UV减粘膜的两种典型分类及晶圆背部研磨膜和切割膜的应用过程。通过综合分析古河电气工业株式会社、琳得科株式会社、狮力昂株式会社、积水化学工业株式会社、住友电木株式会社和综研化学株式会社等国外企业相关资料,梳理了各公司代表性产品及技术特点,可为UV减粘膜国产化替代提供一些思路和方向。归纳分析了国内企业在相关领域的产品专利,根据分析结果,国产UV减粘膜目前逐渐形成了具备耐高温、耐水冲击、耐可见光、抗静电以及可长期储存等特点的系列化产品。在半导体行业全产业链国产化进程推进过程中,国产UV减粘膜行业将会获得难得的发展机遇。
源底深p阱注入结构的SiC MOSFET设计与优化
方绍明;邹明锋;曾伟;碳化硅(SiC)功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其高耐压、高耐温和快速开关等特性,在中高压电力电子领域应用广泛,具有重要的研究价值。在SiC MOS-FET设计中,降低比导通电阻(Ron,sp)并提高击穿电压(BV)始终是核心目标。自主研制了一款平面型SiCMOSFET,通过元胞区与终端结构的协同优化设计,实现了器件性能最优化。在常温下,其比导通电阻为3.03 mΩ·cm2;当漏源电压达到1 200 V时,反向漏电流小于1μA。在175℃高温环境下,器件顺利通过了1 000 h的高温栅极偏置(HTGB)与高温反向偏置(HTRB)可靠性测试。测试结果表明,阈值电压(Vth)及BV漂移量均小于5%,漏电流在1 000 h前后均保持在1μA以下,证实该器件具有优异的高温稳定性和可靠性。
集成于公路护栏的聚风型摩擦纳米发电机的设计与实验研究
臧坤龙;郝奕锋;吴承格;为实现交通场景下风能的回收利用,解决交通设备辅助供电问题,开展了集成于公路护栏的聚风型摩擦纳米发电机(WCT-TENG)的设计与实验研究。依据交通场景中风能分散不稳定的特点,提出聚风结构方案,并对不同角度聚风罩进行仿真测试优化。搭建电机测试平台与风洞测试平台,在电机平台测试单个发电单元的输出性能,得出短路电流随转速增加而增大。通过风洞平台,对不同角度的聚风罩进行测试,测得聚风罩角度在55°时整体样机输出性能最好;在风速为7m/s时,可以为175个发光二极管(LED)供电。研究表明,该设计可以为交通能源回收与智能传感提供新方法,推动交通系统绿色智能化发展。
基于SOI工艺的载波抑制单边带调制器工作点标定技术研究
廖海军;崔乃迪;冯靖;冯俊波;吴凡;王一纯;方坤;基于SOI工艺的载波抑制单边带(CS-SSB)调制器由于干涉结构复杂,使其工作点难以准确标定,不准确的工作点对于CS-SSB调制器的载波抑制比和边带抑制比影响较大。研究了一种进光分光比可调的CS-SSB调制器架构,分析并推导了基于干涉分析法进行工作点标定的理论可行性。分别研究了基于现场可编程门阵列(FPGA)的硬件粗标定系统、基于自适应矩估计(ADAM)和光谱分析法的细标定系统,通过这两个标定步骤,成功完成了CS-SSB调制器工作点的准确标定。实验结果与理论推导结果相符,粗标定时间小于10 s,细标定算法在10 s内快速实现了最优解的搜索。研究表明,该技术能在极短的时间内求解出精准的工作点,实现约50 dB的载波抑制比、约30 dB的边带抑制比、约30 dB的边带对载波抑制比,完成了载波与边带的近乎完全抑制,标定系统性能比传统标定高出数倍。
热释电材料及红外探测器研究进展
孙浩展;明安杰;郭志鹏;刘北芳;张静;热释电红外探测器因具有无需制冷、灵敏度高、响应谱宽等优点,在红外成像、气体分析、环境监测等领域得到广泛应用。近年来,随着人工智能快速发展,高精度气体分析、在线分析、智能探测、智能制导等领域应用对热释电红外探测器提出了微型化、低功耗、数字化和更高性能参数的要求,基于传统材料体系的探测器在性能与集成度等方面的局限逐渐显现。系统综述了热释电红外探测器在材料体系、性能优化及器件结构设计方面的研究进展,重点讨论了热释电材料和器件的研究现状。最后对热释电红外探测器的未来发展方向、潜在挑战与机遇进行分析与展望。
基于自适应电流控制的低功耗音频功率放大器设计
许超;周静;马镇;韩前磊;基于双极工艺设计了一种自适应电流控制的低功耗音频功率放大器,主要包括:自适应电流控制电路、基准电路、功率放大器电路以及输出电压修调电路。自适应电流控制电路可以感知功放输入端信号,动态改变输出功率管输入偏置电流,降低音频功率放大器的静态功耗。功率放大器通过输出电压修调电路形成闭环连接可在中测阶段通过修调电阻调节输出电压,降低工艺偏差的影响。电路采用国内2μm、18,V双极工艺完成设计、流片,测试结果表明,其可以在1.8～18V电源电压下工作,拥有立体声及桥接工作模式。6 V电源电压下,静态电流为3.8 mA,输入失调电压为6 mV,电源抑制比为63 dB。
静电形成纳米线场效应晶体管的研究进展
邵照程;魏淑华;明安杰;静电形成纳米线场效应晶体管(EFN FET)是一类基于多栅极协同静电调控的新型器件。针对传统硅纳米线传感器制造后导电通道尺寸固定,导致灵敏度和动态检测范围受限等共性瓶颈问题,EFN FET通过多栅静电调控,在半导体内部构建了位置与尺寸可动态编程的虚拟纳米线通道,显著提升了器件性能。综述了EFN FET的工作原理及其应用进展:在温度传感方面,利用亚阈值区电流特性实现了优于互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的电流温度系数(13.3%/K);在气体传感方面,通过边缘电场调控结合机器学习算法,解决了挥发性有机化合物(VOC)的高精度选择性识别难题;在生物传感方面,元纳米通道(MNC)技术有效突破了生物电荷的非均匀分布以及生理环境下德拜屏蔽效应的制约问题,在真实生物血清中实现了飞摩尔级无标记检测。最后对该技术在自动化控制与感算一体化系统中的前景进行了展望。
MEMS传感器现状及应用
王淑华;MEMS传感器种类繁多,发展迅猛,应用广泛。首先,简单介绍了MEMS传感器的分类和典型应用。其次,对MEMS压力传感器、加速度计和陀螺仪三种最典型的MEMS传感器进行了详细阐述,包括类别、技术现状和性能指标、最新研究进展、产品,及应用情况。介绍MEMS压力传感器时,给出了国内外采用新型材料制作用于极端环境下压力传感器的研究情况。最后,从新材料、加工和组装技术方面对MEMS传感器的发展趋势进行了展望。
经典分子动力学模拟的主要技术
樊康旗,贾建援综述了分子动力学模拟的基本原理、发展过程及主要应用,介绍了原子间势函数的发展及势参数的确定,给出了分子动力学模拟中相关的有限差分算法、初始条件及边界条件的选取、平衡态系综及其调控、感兴趣量的提取及主要过程。最后还指出了分子动力学模拟方法本身进一步的研究方向。
MEMS传感器现状及应用
王淑华;MEMS传感器种类繁多,发展迅猛,应用广泛。首先,简单介绍了MEMS传感器的分类和典型应用。其次,对MEMS压力传感器、加速度计和陀螺仪三种最典型的MEMS传感器进行了详细阐述,包括类别、技术现状和性能指标、最新研究进展、产品,及应用情况。介绍MEMS压力传感器时,给出了国内外采用新型材料制作用于极端环境下压力传感器的研究情况。最后,从新材料、加工和组装技术方面对MEMS传感器的发展趋势进行了展望。
超级电容器材料及应用研究进展
石文明;刘意华;吕湘连;张瑞荣;何洋;作为新型储能装置之一，相较于传统储能装置，超级电容器具有功率密度高、使用寿命长、充放电速率快等优越特性，因而受到了研究者们的广泛关注。介绍了超级电容器的发展历程、分类及工作原理；概述了应用于超级电容器的碳基材料、过渡金属氧化物、导电聚合物及复合材料等电极材料的研究进展；阐述了超级电容器在工业、电力、汽车、航空等领域以及柔性超级电容器在可穿戴电子产品中的应用状况；分析了当前超级电容器的不足及面临的挑战；总结了超级电容器新的可能应用领域(如生物、医疗和神经形态学计算等领域)及新的研究方向(如超级电容器精确数学模型等)。
薄膜材料研究中的XRD技术
周元俊;谢自力;张荣;刘斌;李弋;张曾;傅德颐;修向前;韩平;顾书林;郑有炓;晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结合晶格参数的测量讨论了半导体异质结构的应变与应力;重点介绍了利用Mosaic模型分析位错密度,其中比较了几种不同的通过XRD处理Mosaic模型,且讨论了它们计算位错密度时的优劣。综合XRD技术的理论及在以上几个方面的最新研究进展,对XRD将来的发展做出了展望。
经典分子动力学模拟的主要技术
樊康旗,贾建援综述了分子动力学模拟的基本原理、发展过程及主要应用,介绍了原子间势函数的发展及势参数的确定,给出了分子动力学模拟中相关的有限差分算法、初始条件及边界条件的选取、平衡态系综及其调控、感兴趣量的提取及主要过程。最后还指出了分子动力学模拟方法本身进一步的研究方向。
柔性可穿戴电子的新进展
卢忠花;王卿璞;鲁海瑞;袁帅;王丹丹;综述了近期柔性可穿戴电子的研究进展以及在现代生活中的发展应用,阐明了柔性薄膜电子在医学和生活娱乐等领域的发展方向和潜在应用,特别是在医疗领域,柔性电子的发展与应用将是人们未来生命健康监测与治疗的主流方向。详细介绍了以聚酰亚胺等聚合物材料为基底的薄膜电子器件的发展类型,并且阐述了分别以聚合物薄膜材料和导电织物为基底的柔性电子设计。论述了制约柔性可穿戴电子在未来发展研究中的问题,并对柔性可穿戴电子的发展趋势进行了展望。
最新动态
2026年微纳器件与系统应用技术大会暨第十九届中国微纳电子技术交流与学术研讨会会议通知
2024-04-012024年第十七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会暨 2024年微纳电子产业融合创新发展论坛会议通知
2023-02-272023年第十六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会暨 2023年微纳电子产业融合创新发展论坛会议通知
2022-02-062022年第十五届中国微纳电子技术交流与学术研讨会会议通知
2021-11-02关于“第七届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨 2021半导体功率器件技术创新与产业融合发展论坛”延期举办的通知
more..