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期刊信息

期刊名称:微纳电子技术
曾用刊名: 半导体情报
创刊时间:1964年
更名时间:2002年
主管部门:中国电子科技集团公司
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
出版日期:每月15日
ISSN:1671-4776
CN:13-1314/TN
邮发代号:18-60

网址:www.bdtq.cbpt.cnki.net
e-mail:wndz@vip.sina.com
电话:0311-87091487
地址:石家庄市179信箱49分箱
邮编:050051

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2026年07期
技术论坛

二氧化钛薄膜真空制备工艺、微观动力学机制及前沿应用研究进展

付学成;王英;乌李瑛;付刘成;史凯旋;

二氧化钛(TiO2)凭借其卓越的光学折射率、化学稳定性及半导体特性,已成为现代光电子、精密光学及能源转换领域的核心材料。系统综述了磁控溅射(MS)、高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)、双极脉冲高功率磁控溅射(BPH)、原子层沉积(ALD)等二氧化钛薄膜的主流真空制备技术,深入剖析了制备过程中的靶中毒效应、自限制反应动力学及离子辅助致密化等关键物理现象。重点强化了制备参数对微观缺陷、晶相演化(锐钛矿、金红石)的影响及其在前沿应用中的核心影响机制。同时系统综述了二氧化钛在引力波探测、神经形态计算(忆阻器)、高功率激光抗损伤涂层及钙钛矿太阳能电池等领域的最新研究成果,探讨了原子级厚度控制与结构调控对降低机械损耗、提高载流子迁移率及增强损伤阈值的贡献。

2026 年 07 期 v.63 ; 国家自然科学基金重大项目子课题(62090052)
[下载次数: 97 ] [被引频次: 0 ] [阅读次数: 8 ] PDF 引用本文

基于二茂铁分子改性的钙钛矿太阳能电池研究进展

王洪光;李亚京;卢孟涵;崔洪军;陈聪;

二茂铁(Fc)及其衍生物凭借其可逆氧化还原活性、优异热稳定性及灵活的分子可设计性,已成为调控钙钛矿太阳能电池界面与缺陷的关键材料,在钙钛矿晶体体相、表面及异质界面调控中发挥核心作用。其作用机制主要包括通过Fc/Fc+可逆循环实现缺陷钝化、优化界面能级排列、改善电荷动力学行为以及抑制离子迁移等。系统综述了二茂铁及其衍生物在提升钙钛矿太阳能电池光电性能与稳定性方面的研究进展,并指出未来应聚焦于功能基团的精准调控、原位表征技术的应用以及低成本规模化分子设计,以推动基于二茂铁体系的高效、稳定、可商业化的钙钛矿太阳能电池的发展。

2026 年 07 期 v.63 ; 河北高速公路集团有限公司科技创新项目(Y02102508KY0001); 河北省高等学校科学研究项目(JZX2024030)
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光激发增强过渡金属二硫化物气敏性能研究进展

任苏月;陈城勇;郑晓虹;

气体传感器作为嗅觉传感的核心元件,可精准识别环境中气体的种类与浓度,在环境监测、食品安全、医疗健康等领域应用前景广阔。传统半导体气体传感器依赖高温驱动,存在能耗高、检测限偏高等问题。光激发通过引入光生载流子,协同促进氧分子与目标气体的表面反应及界面电荷转移,为提升气敏性能提供了有效途径。二维过渡金属二硫化物(TMD)因带隙可调、高比表面积和优异光电特性,是光激发气体传感器的重要候选材料。系统综述了WS2、MoS2、SnS2及WSe2基光激发气体传感器的研究进展,比较了不同材料的检测限、响应/恢复时间和工作温度等方面的差异,探讨了缺陷调控、异质结构建和贵金属修饰等典型增敏策略,为TMD基光激发气体传感器的性能优化与实用化发展提供全面参考。

2026 年 07 期 v.63 ; 国家自然科学基金(62504157)
[下载次数: 25 ] [被引频次: 0 ] [阅读次数: 4 ] PDF 引用本文
器件与技术

一种应用于窄带接收机的带频率校准的有源复数滤波器的设计

王雪原;黄东;刘晓锋;王松;李嘉翔;

设计了一款应用于射频窄带接收机的带频率校准的有源复数滤波器。该滤波器电路基于低插损无源低通二阶滤波结构进行传输函数推导计算,并通过器件级设计实现了优异的信号选择性和可重构性。该滤波器电路包含一个频率校准模块,基于其积分器件,提出一种双端线性校准方案,弥补工艺、温度和系统干扰造成的频率偏移,提高了稳定性。另外,为了适用消费类应用场景,在保证性能的同时极大地优化了功耗和面积。测试结果表明,该滤波器电路的中频为282.5 kHz,通带带宽50.6 kHz/100.5 kHz/199.1 kHz/498.5 kHz可重构,通带电压增益最高18.03 dB,镜像抑制比大于50 dB,噪声系数小于39 dB,整体面积为291μm×465μm,功耗电流为676μA,频率校准偏差优于±1%。该滤波器已成功应用于一款频移键控/高斯滤波频移键控/开关键控(FSK/GFSK/OOK)调制方式的射频窄带接收机上。

2026 年 07 期 v.63 ; 江苏省基础研究计划(自然科学基金)-前沿引领技术基础研究专项(BK20212001)
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菱方相Hf0.5Zr0.5O2与IGZO集成及其非易失薄膜晶体管

朱殿臣;尹志岗;吴金良;张兴旺;

针对传统基于正交相氧化铪的铁电存储器存在工作电压高、耐久性不足的问题,提出了一种将亚稳菱方相Hf0.5Zr0.5O2与铟镓锌氧化物(IGZO)沟道全氧化物集成的方案。通过优化磁控溅射沉积与快速热退火工艺,确定了制备菱方相Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜的最佳工艺窗口。结合掠入射X射线衍射与高分辨透射电子显微镜表征,证实所制备的Hf0.5Zr0.5O2薄膜具有高纯度的菱方相结构。通过调控溅射氧分压,获得了电子密度为6.6×1017 cm-3、载流子迁移率达18.7 cm2·V-1·s-1的高质量IGZO薄膜。Hf0.5Zr0.5O2薄膜及其上生长的IGZO薄膜均具有优异的表面平整度,均方根粗糙度分别为0.37 nm和0.55 nm。基于IGZO/Hf0.5Zr0.5O2堆叠结构构建了薄膜晶体管,其转移特性曲线具有明显的回滞,表明铁电菱方相Hf0.5Zr0.5O2栅介质对IGZO沟道具有高效的极化调制能力,成功实现了非易失存储功能。器件存储窗口约为3.8 V,对应的菱方相Hf0.5Zr0.5O2翻转电场强度约0.76 MV/cm,显著低于正交相Hf0.5Zr0.5O2的典型实验数值。

2026 年 07 期 v.63 ; 国家自然科学基金(62274162)
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