期刊信息
期刊名称：微纳电子技术
曾用刊名： 半导体情报
创刊时间：1964年
更名时间：2002年
主管部门：中国电子科技集团公司
主办单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
出版日期：每月15日
ISSN：1671-4776
CN：13-1314/TN
邮发代号：18-60
网址：www.bdtq.cbpt.cnki.net
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电话：0311-87091487
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人工智能大语言模型、具身智能和AI芯片的新进展(续)
赵正平;以ChatGPT和Deep Seek为代表的大语言模型(LLM)、具身智能和人工智能(AI)芯片的新发展标志人工智能在向“通用人工智能”发展目标又有了新的进步。综述了人工智能大语言模型、具身智能和AI芯片的最新进展和发展趋势。在人工智能大语言模型领域,包含DeepSeek LLM“现象级”崛起与GPT5的发布、性能改进、安全性提高和深度应用等方面的新进展和发展趋势。在具身智能领域,包含基本概念和发展远景、框架和算法、具身智能加大语言模型、具身智能在人机交互、环境与伦理和具身智能结合LLM的应用创新等方面的新进展和发展趋势。在AI芯片和量子神经网络领域,包含数字AI芯片、原子级环栅(GAA)新架构工艺、模拟AI芯片、光子神经网络与光子AI芯片以及量子神经网络与应用创新等方面的新进展和发展趋势。
电迁移现象的机理及其应用研究进展
陈研;刘大治;邬宇彤;鹿业波;孙权;阐述了传统集成电路和新兴柔性电子互连电路中电迁移失效现象和机理的研究进展。研究表明,高电流密度下的金属互连电路的电迁移失效本质上是电子风力、热迁移、应力迁移和化学迁移等多种机制综合作用的结果。介绍了基于原子通量散度法的考虑四种迁移机制的电迁移失效有限元仿真理论方法,重点探讨了电迁移机制在微纳米结构自生长制备方面的应用研究进展,以及电迁移机制在金属材料微观结构改性及裂纹修复领域的研究进展和应用前景。
β-Ga_2O3 MOS界面缺陷表征方法研究进展
张雲龙;马培培;β-Ga_2O3 MOSFET凭借其高击穿电场强度、低导通电阻和较低的材料成本等优势,在高压及大功率应用领域展现出重要的应用前景。然而,在强电场、高低温循环等苛刻工作条件下,界面缺陷会显著影响器件性能,引发阈值电压漂移和击穿电压退化等可靠性问题。鉴于陷阱效应是制约β-Ga_2O3 MOSFET可靠性的核心因素,系统综述了β-Ga_2O3 MOS结构中典型的界面缺陷表征方法,从测试原理、适用场景与技术特点等方面对各类方法进行了对比分析。其中,传统表征手段(如Terman法、高低频电容-电压(C-V)法、电导法)适用于提取界面态密度,但难以探测深能级缺陷;而新兴技术(如深能级瞬态光谱法(DLTS)、深紫外光辅助C-V法)不仅能够精准表征深能级缺陷,还能获取缺陷的能级位置、俘获截面等信息。在总结当前β-Ga_2O_3MOS界面缺陷研究进展的基础上,对界面质量优化的关键研究方向进行了展望,以期为提升β-Ga_2O3 MOSFET的长期可靠性提供理论参考。
半导体制程用UV减粘膜综述
张宁;刘智昊;项奎;阐述了半导体制程用紫外(UV)减粘膜的结构及其在UV辐照前后粘着力骤变的反应机理,介绍了UV减粘膜的两种典型分类及晶圆背部研磨膜和切割膜的应用过程。通过综合分析古河电气工业株式会社、琳得科株式会社、狮力昂株式会社、积水化学工业株式会社、住友电木株式会社和综研化学株式会社等国外企业相关资料,梳理了各公司代表性产品及技术特点,可为UV减粘膜国产化替代提供一些思路和方向。归纳分析了国内企业在相关领域的产品专利,根据分析结果,国产UV减粘膜目前逐渐形成了具备耐高温、耐水冲击、耐可见光、抗静电以及可长期储存等特点的系列化产品。在半导体行业全产业链国产化进程推进过程中,国产UV减粘膜行业将会获得难得的发展机遇。
源底深p阱注入结构的SiC MOSFET设计与优化
方绍明;邹明锋;曾伟;碳化硅(SiC)功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其高耐压、高耐温和快速开关等特性,在中高压电力电子领域应用广泛,具有重要的研究价值。在SiC MOS-FET设计中,降低比导通电阻(Ron,sp)并提高击穿电压(BV)始终是核心目标。自主研制了一款平面型SiCMOSFET,通过元胞区与终端结构的协同优化设计,实现了器件性能最优化。在常温下,其比导通电阻为3.03 mΩ·cm2;当漏源电压达到1 200 V时,反向漏电流小于1μA。在175℃高温环境下,器件顺利通过了1 000 h的高温栅极偏置(HTGB)与高温反向偏置(HTRB)可靠性测试。测试结果表明,阈值电压(Vth)及BV漂移量均小于5%,漏电流在1 000 h前后均保持在1μA以下,证实该器件具有优异的高温稳定性和可靠性。
MEMS传感器现状及应用
王淑华;MEMS传感器种类繁多,发展迅猛,应用广泛。首先,简单介绍了MEMS传感器的分类和典型应用。其次,对MEMS压力传感器、加速度计和陀螺仪三种最典型的MEMS传感器进行了详细阐述,包括类别、技术现状和性能指标、最新研究进展、产品,及应用情况。介绍MEMS压力传感器时,给出了国内外采用新型材料制作用于极端环境下压力传感器的研究情况。最后,从新材料、加工和组装技术方面对MEMS传感器的发展趋势进行了展望。
经典分子动力学模拟的主要技术
樊康旗,贾建援综述了分子动力学模拟的基本原理、发展过程及主要应用,介绍了原子间势函数的发展及势参数的确定,给出了分子动力学模拟中相关的有限差分算法、初始条件及边界条件的选取、平衡态系综及其调控、感兴趣量的提取及主要过程。最后还指出了分子动力学模拟方法本身进一步的研究方向。
MEMS传感器现状及应用
王淑华;MEMS传感器种类繁多,发展迅猛,应用广泛。首先,简单介绍了MEMS传感器的分类和典型应用。其次,对MEMS压力传感器、加速度计和陀螺仪三种最典型的MEMS传感器进行了详细阐述,包括类别、技术现状和性能指标、最新研究进展、产品,及应用情况。介绍MEMS压力传感器时,给出了国内外采用新型材料制作用于极端环境下压力传感器的研究情况。最后,从新材料、加工和组装技术方面对MEMS传感器的发展趋势进行了展望。
超级电容器材料及应用研究进展
石文明;刘意华;吕湘连;张瑞荣;何洋;作为新型储能装置之一，相较于传统储能装置，超级电容器具有功率密度高、使用寿命长、充放电速率快等优越特性，因而受到了研究者们的广泛关注。介绍了超级电容器的发展历程、分类及工作原理；概述了应用于超级电容器的碳基材料、过渡金属氧化物、导电聚合物及复合材料等电极材料的研究进展；阐述了超级电容器在工业、电力、汽车、航空等领域以及柔性超级电容器在可穿戴电子产品中的应用状况；分析了当前超级电容器的不足及面临的挑战；总结了超级电容器新的可能应用领域(如生物、医疗和神经形态学计算等领域)及新的研究方向(如超级电容器精确数学模型等)。
薄膜材料研究中的XRD技术
周元俊;谢自力;张荣;刘斌;李弋;张曾;傅德颐;修向前;韩平;顾书林;郑有炓;晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段。分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量半导体薄膜的晶格参数;结合晶格参数的测量讨论了半导体异质结构的应变与应力;重点介绍了利用Mosaic模型分析位错密度,其中比较了几种不同的通过XRD处理Mosaic模型,且讨论了它们计算位错密度时的优劣。综合XRD技术的理论及在以上几个方面的最新研究进展,对XRD将来的发展做出了展望。
经典分子动力学模拟的主要技术
樊康旗,贾建援综述了分子动力学模拟的基本原理、发展过程及主要应用,介绍了原子间势函数的发展及势参数的确定,给出了分子动力学模拟中相关的有限差分算法、初始条件及边界条件的选取、平衡态系综及其调控、感兴趣量的提取及主要过程。最后还指出了分子动力学模拟方法本身进一步的研究方向。
柔性可穿戴电子的新进展
卢忠花;王卿璞;鲁海瑞;袁帅;王丹丹;综述了近期柔性可穿戴电子的研究进展以及在现代生活中的发展应用,阐明了柔性薄膜电子在医学和生活娱乐等领域的发展方向和潜在应用,特别是在医疗领域,柔性电子的发展与应用将是人们未来生命健康监测与治疗的主流方向。详细介绍了以聚酰亚胺等聚合物材料为基底的薄膜电子器件的发展类型,并且阐述了分别以聚合物薄膜材料和导电织物为基底的柔性电子设计。论述了制约柔性可穿戴电子在未来发展研究中的问题,并对柔性可穿戴电子的发展趋势进行了展望。
最新动态
2026年微纳器件与系统应用技术大会暨第十九届中国微纳电子技术交流与学术研讨会会议通知
2024-04-012024年第十七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会暨 2024年微纳电子产业融合创新发展论坛会议通知
2023-02-272023年第十六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会暨 2023年微纳电子产业融合创新发展论坛会议通知
2022-02-062022年第十五届中国微纳电子技术交流与学术研讨会会议通知
2021-11-02关于“第七届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨 2021半导体功率器件技术创新与产业融合发展论坛”延期举办的通知
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