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由于生长期间熔体中 In 的分凝和金属 As 化学计量比的变化,用 LEC 法生长的 In-合金 GaAs 晶体显示出非均匀性。由富 As 熔体生长出来的晶体有很好的电学均匀性。In-合金位错抑制效应大大地提高了结晶的均匀性。
Abstract：1． M.G.Mvidsk and E.P.Bochkaiev,J.Cryst.Growth 44,61(1978) .
2． .Jacob,M.Duseaux,J.P.Farges,M.M.B.van der Boom,J.Cryst.Growth 61,417(1983)
3． H.M.Hobgood,D.L.Barrett,L..Ta,G.W.Eldridge,and K.N.Thomas Paper A-2,1983 Electronics Materials Conf.,Burlington,VT,June 22-24．
4． H.Kmura,C.B.Afable,H.M.Olsen,A.T.Hanter,and H.V.Winston,Sixth American Conference on Crystal Growth,Atlantic City,NJ,July 15-20(1984) .Submitted to J.Cryst.Growth.
5． H.V.Winston,A.T.Huskier,H.M..Olsen, R.p.Bryan,and R.E.Lee,Third Conf.on Semt-Insulating Ⅲ-Ⅴ Materals,Warm Sorings OR,Aprll 24-26,1984．
6． A.T.Hunter,H.M.Olsen,R.P.Bryan,H.V.Winston,and R.E.Lee,Device Research Conf.,Santa Barbara,CA,June 18-20,1984．
7． H.V.Winston,A.T.Hunter,H.M.Olsen,R.P.Bryan,and R..Lee,to be published in Appl.Phys.Letters,August 15,1984．
8． S.Miyazawa,Y.Ishii,S.lshida,and Y.Nanishi,Appl.Phys.Letters 43,46(1982) .
9． D.E.Holmes,R.T.Chen,K.R.Elliott,and C.G.Kirkpatrick,Appl.Phys.Letters 40,46(1982) .
基本信息:
DOI：10.13250/j.cnki.wndz.1985.06.006
中图分类号:
引用信息:
[1]H.Rimura,赵旭霞.LEC In-合金GaAs的均匀性[J].半导体情报,1985(06):15-19.DOI:10.13250/j.cnki.wndz.1985.06.006.
基金信息: