1973, 06, 42-55
光刻技术
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10.13250/j.cnki.wndz.1973.06.005
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摘要：
<正> 一、引言目前半导体器件制造中可以说是不可缺少光刻技术,对全工程(即指整个光刻工艺过程)的技术改进,其处理精度接近了受光的波长限制的阶段。但是,在用单一方法制作器件的情况下,对困难条件下的高精度光刻要求就更多。本文整理了对如下问题的讨论结果.光刻掩模的讨论,衬底表面凹凸非常大情况下光刻抗蚀剂的涂复,Au、Cr、Al2O3、Al、Si 等薄膜的高精度光刻,磷处理后的 SiO2的
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DOI：10.13250/j.cnki.wndz.1973.06.005
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[1]梁春广.光刻技术[J].半导体情报,1973(06):42-55.DOI:10.13250/j.cnki.wndz.1973.06.005.
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