1971, 05, 42-44
用球形滚槽法测量硅外延层的厚度
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10.13250/j.cnki.wndz.1971.05.006
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摘要：
<正> 引言过去在测量外延层或扩散层的厚度时,曾采用过磨角法、秤量法、红外线反射法等方法。这些方法各有其优点,但在测量1微米以下的薄层时,都不能得到良好的精度。在硅的外延层和扩散层厚度的测量方面,还有一种球形滚槽测量法。这种方法很简便,而且在测量几千埃的薄层时精度很高。另外,除了外延层,还能直接测量各种绝缘膜、金属膜以及由这些膜
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DOI：10.13250/j.cnki.wndz.1971.05.006
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引用信息:
[1]何滨.用球形滚槽法测量硅外延层的厚度[J].半导体情报,1971(05):42-44.DOI:10.13250/j.cnki.wndz.1971.05.006.
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