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本文利用Nomarki相衬显微镜图像分析系统,扫描电子显微镜(SEM)及俄歇电子谱仪(AES),对分子束外延生长的GaAs的表面缺陷进行了归类和分析。观察到了九类表面缺陷,其中四类缺陷在典型的GaAs外延层中通常都观察到了。典型的GaAs外延层表面缺陷的密度分布图显示出了四个清晰的峰。其中,第一个峰以100μm2为中心,对应于椭圆形的缺陷;第二个峰是5μm2的缺陷,它起源于衬底表面的沾污;第三个峰是10μm2的圆形缺陷;第四个峰对应于1μm2或更小的缺陷,它是由GaAs衬底中,象位错这样微小不规则性所造成的。虽然100μm2和10μm2缺陷的形状彼此差异很大,但是其密度分布证明,它们都强烈地受到生长条件和生长炉次的影响。因此可以推断,它们起源于Ga源的不同,如Ga的氧化物和Ga的喷射。
Abstract：1． C E C. Wood. . Rath. H O. and D. De-Sunone. J Cryst. Grouth. 51, 299 (1981) .
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10． J. Saito. K. Nanbu. K. Kondo. and A. Shibatot. Unpublished.
基本信息:
DOI：10.13250/j.cnki.wndz.1988.01.013
中图分类号:
引用信息:
[1]K.Nanbu,张文俊.分子束外延生长的GaAs表面缺陷的分类[J].半导体情报,1988(01):47-51.DOI:10.13250/j.cnki.wndz.1988.01.013.
基金信息: