- 赵正平;
以ChatGPT和Deep Seek为代表的大语言模型(LLM)、具身智能和人工智能(AI)芯片的新发展标志人工智能在向“通用人工智能”发展目标又有了新的进步。综述了人工智能大语言模型、具身智能和AI芯片的最新进展和发展趋势。在人工智能大语言模型领域,包含DeepSeek LLM“现象级”崛起与GPT5的发布、性能改进、安全性提高和深度应用等方面的新进展和发展趋势。在具身智能领域,包含基本概念和发展远景、框架和算法、具身智能加大语言模型、具身智能在人机交互、环境与伦理和具身智能结合LLM的应用创新等方面的新进展和发展趋势。在AI芯片和量子神经网络领域,包含数字AI芯片、原子级环栅(GAA)新架构工艺、模拟AI芯片、光子神经网络与光子AI芯片以及量子神经网络与应用创新等方面的新进展和发展趋势。
2026年03期 v.63;No.586 7-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 1567K] [下载次数：472 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 陈研;刘大治;邬宇彤;鹿业波;孙权;
阐述了传统集成电路和新兴柔性电子互连电路中电迁移失效现象和机理的研究进展。研究表明,高电流密度下的金属互连电路的电迁移失效本质上是电子风力、热迁移、应力迁移和化学迁移等多种机制综合作用的结果。介绍了基于原子通量散度法的考虑四种迁移机制的电迁移失效有限元仿真理论方法,重点探讨了电迁移机制在微纳米结构自生长制备方面的应用研究进展,以及电迁移机制在金属材料微观结构改性及裂纹修复领域的研究进展和应用前景。
2026年03期 v.63;No.586 42-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 1659K] [下载次数：104 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 张雲龙;马培培;
β-Ga_2O_3 MOSFET凭借其高击穿电场强度、低导通电阻和较低的材料成本等优势,在高压及大功率应用领域展现出重要的应用前景。然而,在强电场、高低温循环等苛刻工作条件下,界面缺陷会显著影响器件性能,引发阈值电压漂移和击穿电压退化等可靠性问题。鉴于陷阱效应是制约β-Ga_2O_3 MOSFET可靠性的核心因素,系统综述了β-Ga_2O_3 MOS结构中典型的界面缺陷表征方法,从测试原理、适用场景与技术特点等方面对各类方法进行了对比分析。其中,传统表征手段(如Terman法、高低频电容-电压(C-V)法、电导法)适用于提取界面态密度,但难以探测深能级缺陷;而新兴技术(如深能级瞬态光谱法(DLTS)、深紫外光辅助C-V法)不仅能够精准表征深能级缺陷,还能获取缺陷的能级位置、俘获截面等信息。在总结当前β-Ga_2O_3MOS界面缺陷研究进展的基础上,对界面质量优化的关键研究方向进行了展望,以期为提升β-Ga_2O_3 MOSFET的长期可靠性提供理论参考。
2026年03期 v.63;No.586 52-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 1444K] [下载次数：60 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 张宁;刘智昊;项奎;
阐述了半导体制程用紫外(UV)减粘膜的结构及其在UV辐照前后粘着力骤变的反应机理,介绍了UV减粘膜的两种典型分类及晶圆背部研磨膜和切割膜的应用过程。通过综合分析古河电气工业株式会社、琳得科株式会社、狮力昂株式会社、积水化学工业株式会社、住友电木株式会社和综研化学株式会社等国外企业相关资料,梳理了各公司代表性产品及技术特点,可为UV减粘膜国产化替代提供一些思路和方向。归纳分析了国内企业在相关领域的产品专利,根据分析结果,国产UV减粘膜目前逐渐形成了具备耐高温、耐水冲击、耐可见光、抗静电以及可长期储存等特点的系列化产品。在半导体行业全产业链国产化进程推进过程中,国产UV减粘膜行业将会获得难得的发展机遇。
2026年03期 v.63;No.586 64-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 1387K] [下载次数：66 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 方绍明;邹明锋;曾伟;
碳化硅(SiC)功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其高耐压、高耐温和快速开关等特性,在中高压电力电子领域应用广泛,具有重要的研究价值。在SiC MOS-FET设计中,降低比导通电阻(R_(on,sp))并提高击穿电压(BV)始终是核心目标。自主研制了一款平面型SiCMOSFET,通过元胞区与终端结构的协同优化设计,实现了器件性能最优化。在常温下,其比导通电阻为3.03 mΩ·cm~2;当漏源电压达到1 200 V时,反向漏电流小于1μA。在175℃高温环境下,器件顺利通过了1 000 h的高温栅极偏置(HTGB)与高温反向偏置(HTRB)可靠性测试。测试结果表明,阈值电压(V_(th))及BV漂移量均小于5%,漏电流在1 000 h前后均保持在1μA以下,证实该器件具有优异的高温稳定性和可靠性。
2026年03期 v.63;No.586 72-79页 [查看摘要][在线阅读][下载 2011K] [下载次数：68 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 李宇杰;秦海潮;周彪;
为满足通信高频、宽带、高线性度的要求,采用模拟预失真技术设计并实现了一款内置线性化器的K波段功率放大器。该功率放大器基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计,采用三级放大的拓扑结构,其中第一级采用自偏置结构来降低电流,同时每一级漏极都使用二级滤波来滤除杂波信号。线性化器的核心器件未使用传统的肖特基二极管,而是由一对并联的冷模PHEMT、一个电阻和一个旁路电容组成。通过设计、仿真和流片,最终得到一款工作在17～21 GHz的高线性功率放大器,在饱和输出功率回退3 dBm时,三阶交调失真(IMD3)最大可改善10 dBc。
2026年03期 v.63;No.586 80-87页 [查看摘要][在线阅读][下载 1411K] [下载次数：9 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 董洋溢;徐达;王鑫;马琳;
针对现有振荡器在频率精度、温度稳定性和系统集成灵活性等方面的不足,设计了一种具备外同步功能的可调频振荡器电路。该设计采用了一种时序分离控制架构,通过分离充电与放电路径,有效地消除比较器延迟引入的频率误差。电路内部集成了多晶硅熔丝修调模块,可对工艺偏差进行有效补偿。该振荡器支持主控与外部同步两种工作模式,适用于多芯片协同工作的复杂电源管理系统,增强系统集成灵活性。测试结果表明:该振荡器可实现25 kHz～3 MHz的宽频率输出范围,频率偏移率仅为0.26%,在-55～125℃的温度范围内,输出频率温漂仅为21.6×10~(-6)/℃,表现出优异的频率精度和温度稳定性。
2026年03期 v.63;No.586 88-94页 [查看摘要][在线阅读][下载 1390K] [下载次数：50 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 孔健丞;王沦;徐达;单闯;赵天鹄;陈思为;
基于180 nm BCD工艺设计了一种单总线数字修调系统。该系统的通信接口采用自定义单总线协议,与传统标准串行修调方式相比,仅需一个引脚实现修调,降低了芯片成本。该系统具备预修调功能,可在熔断熔丝前读取熔断后的修调值以提高修调的准确率。应用该数字修调技术对一款低压差线性稳压器(LDO)进行修调。实测结果显示,在-40～125℃的温度范围内,修调后带隙基准的温度系数从24.6×10~(-6)/℃降低至4.97×10~(-6)/℃,平均输出电压从2.511 V校准到2.501 V。LDO的线性调整率为5 mV/V,负载调整率为0.02,最小压差为0.1 V。
2026年03期 v.63;No.586 95-105页 [查看摘要][在线阅读][下载 3182K] [下载次数：50 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 李泽楷;吴洪江;范悬悬;杨卅男;
基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺研制了一款工作于10.7～12.8 GHz的紧凑型功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。引入双场板结构,显著提升器件的击穿电压,超过200 V;通过热电联合设计,针对栅极间距与末级布局进行了优化,使器件的热阻降低至约0.52℃/W;设计了融合功分/功合、阻抗变换与谐波调谐的匹配网络,采用多元件串联结构提升击穿电压,增强电路的鲁棒性。测试结果表明,在10.7～12.8 GHz内,芯片(面积4.1 mm×5.3 mm)的饱和输出功率典型值为100 W,全频段内均大于95 W;功率附加效率典型值为40%,全频段内均大于38%;功率增益高于22 dB。
2026年03期 v.63;No.586 106-113页 [查看摘要][在线阅读][下载 1380K] [下载次数：46 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]
- 黄子林;陈琴棋;赖姝岑;傅凯威;郭喜涛;
精准的呼吸监测对人体健康评估及呼吸系统疾病早期诊断至关重要,然而开发兼具柔性、高灵敏度和快速响应的可穿戴呼吸传感器仍面临挑战。报道了一种基于五氧化二钒(V_2O_5)薄膜的高灵敏柔性呼吸传感器。通过水热法和热氧化两步法制备了高质量V_2O_5纳米结构,该结构在室温下对相对湿度(RH)具有高灵敏响应特性。采用滴涂法在柔性聚酰亚胺(PI)基底上沉积V_2O_5敏感层,并通过磁控溅射沉积金叉指电极,构建柔性呼吸传感器。该传感器在呼气和吸气过程中展现出高电阻变化率(灵敏度1 569%)和快速响应/恢复时间(0.32 s/0.31 s)。循环测试表明,该传感器在跟踪不同呼吸模式(深、正常、快呼吸)时具有优异的一致性和可重复性,适用于长期监测。高灵敏度、快响应速度及优异的应力稳健性表明,该V_2O_5薄膜柔性呼吸传感器在呼吸模式识别及睡眠呼吸暂停综合征监测等方面具有广阔的应用前景。
2026年03期 v.63;No.586 114-122页 [查看摘要][在线阅读][下载 1846K] [下载次数：53 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ] - 詹波;闫诗伟;徐稳;张石林;徐强;于培师;赵军华;
曲面共形传感器在结构健康监测与柔性电子中有广泛应用,然而传统打印工艺受限于单材料沉积的特性,难以实现多功能材料的协同集成。提出了一种基于五轴多喷头直书写(DIW)的曲面多材料打印方法,通过曲面网格离散化生成自适应轨迹,避免投影式路径规划引起的几何失真,并结合独立气动驱动与G代码切换实现多喷头无干涉协同打印。实验结果表明,该方法在多种曲面上可实现多材料高精度共形打印,喷头对接误差小于10μm,打印线宽变异系数低于2%。应变传感测试中,电阻变化率与应变呈现良好线性关系,实验与仿真结果平均误差小于10%,验证了所制备传感器具有较高的结构一致性与响应可靠性。本研究为复杂曲面多材料传感器的精准制造与集成应用提供了有效技术路径。
2026年03期 v.63;No.586 123-131页 [查看摘要][在线阅读][下载 1825K] [下载次数：33 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：0 ]