- 为民;海波;
<正> 在半导体器件的发展中,最初所用的材料主要是元素半导体锗。在1960年后,元素半导体硅的材料和器件工艺迅速发展起来,很快在半导体器件研制中占主要地位。目前也还在继续发展。但是,十多年来,化合物半导体的发展是很值得重视的。特别是Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料中的砷化镓已在器件研制中取得了一定成果。砷化镓由于电子迁移率高、禁带宽等优点适于制造高频、大功率和高温器件。在一些器件中采用砷化镓材料后,获得了比同类锗、硅器件更高的性能。而且由于砷化镓特殊的能带结构,又发展了
1973年01期 1-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 1044K] [下载次数：125 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 曾庆明;
微波晶体管的几何图形设计是决定可靠性和射频性能的主要因子。这里比较了几种主要结构及各自的优点。
1973年01期 21-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 391K] [下载次数：32 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 永学;
<正> 最近,对异质结的议论越来越多,国内外的学术杂志几乎每期必登一两篇关于异质结的论文。异质结在电子学领域这样迅速地受重视,不言而喻,同两年前出现异质结激光二极管有直接的关系。但对异质结的研究早在肖克莱发表结型晶体管时就已开始了。在此略述异质结的研究过程,并对今后的发展方向作一展望。既旧又新的异质结异质结是由发明晶体管的肖克莱最先提出来的。1949年肖克莱发表了成为现代电子学基础的 p—n 结理论,1950年结型晶体管就问世了。第二年肖克莱就申请了“用比基
1973年01期 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 143K] [下载次数：93 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 王士林;孙清;
由于采用新的设计以及金属化系统的改进,微波功率晶体管的平均失效时间正在增加。本文就长期和短期可靠性问题以及它们之间的相互关系作一评远。
1973年01期 30-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 780K] [下载次数：40 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 付文杰;
微波晶体管电极条采用金金属化在故障间隔平均时间上比铝的要好的多。这里列示各种金属化系统的一些结果和优点。
1973年01期 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 264K] [下载次数：19 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 付文杰;
本文就微波晶体管制造厂家正在采用的各种几何图形和金属化系统作一评论。
1973年01期 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 123K] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 刘长恩;
用微波技术测得的 n 型 GaAs 速度—电场(V—E)特性仅当样品均匀时才相当于材料的本征特性。本文介绍对具有非均匀掺杂浓度的外延样品测得的 V—E 特性的理论及实验研究。理论预示,对于非均匀材料,表观峰谷比和负微分迁移率将从本征值大大下降,并且表观临界电场也降低。测量与理论完全一致,对于均匀的 GaAs 测得的峰谷比为2.0,而对于在11微米厚的外延层上具有(1.5≤n≤2.5)×10~(15)厘米~(-3)的线性掺杂梯度的材料,降低到1.5。对于具有局部高阻区的样品,观察到低达1.2的值。利用一种35千兆赫微波加热法进行测量,这种方法可以便利地表征具有导电衬底的器件实用材料。V—E数据针对能量弛豫引起的高频效应进行了校正。结果表明,已报导的 V—E 特性中大部分分歧都能够根据样品的不均匀性加以解释。
1973年01期 48-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 430K] [下载次数：15 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 永学;
<正> 1972年5月7—11日,在美国德克萨斯州休斯敦城召开了电化学会议第141次例会。这次会议的特点是:(1)有关离子注入法的报告较多,内容方面基础东西较少,大都是从研究和发展到生产阶段的介绍。(2)半导体方面也没有什么新的题目,大多是一些从实用角度上看来较重要的报告。例如关于外延层中的寿命,以及在1250℃以上扩散时使用 BN 等。(3)发表了11篇有关磁泡的论文,其中8篇是贝尔实验室和国际商业机器公司发表的。其中值得重视的几个题目介绍如下。
1973年01期 63-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 263K] [下载次数：8 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] 下载本期数据