- 香取佳一郎;欧福贤;
<正> 一、引言千兆赫频带功率管的进展非常显著,最近终于出现了4千兆赫下输出5瓦、增益为4分贝的晶体管。几乎在同时,我们也报导了在4千兆赫下输出1瓦,增益为5分贝的FT1706型晶体管的研究工作。研究千兆赫频带功率晶体管时,需要解决的特殊问题是:(1)减小发射极陷落效应(简称EDE),(2)减小半导体管壳的寄生参量。其中,我们特别注重前者,由于减小了EDE,就得到在4千兆赫下输出1瓦的晶体管。同时,使用了进一步改进的减小公共端电感和输入输出端反馈电容的同轴管座。众所周知,如用磷做发射极掺杂,则将显著发生EDE,这样不仅不能减薄基区宽
1974年05期 1-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 584K] [下载次数：9 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 石川元;袁明文;方寿森;
<正> 一、引言最近,微波低噪声晶体管有了显著的进展,据称,已有晶体管实际应用于X波段。我们已报告了由于成功地研制了硅npn平面型的微波低噪声晶体管,好的晶体管已达到6千兆赫下,最小噪声系数F_(min)=3.3分贝。此种晶体管要求实现在微细结构中具有必要的杂质浓度。但是,要实现微细的平面图形,有必要进一步改善光刻技术及其相应的掩模对位装置,由于光波长的原因,使这些方法有局限,因此有必要采用电子束曝光技术。此外,对于深度方向的微细图形,即实现浅而且有一定杂质浓度的扩散层的问题,首先,由于扩散基区层的杂质在扩散发射
1974年05期 10-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 357K] [下载次数：32 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 王长河;
<正> 四、工艺改进 1.导言在这一部分中将讨论工艺技术的改进和应用,以及在MOM制造中出现的问题。这些问题需要涉及到最终器件的制造。 2.MOM结构 (1)MOM技术的优点一个器件的工作电流和输出功率直接依赖于发射极周长,所需的发射极周长应在尽可能小的基极和发射极面积内作成,以便获得最大的效率和功率增益。为满足上述要求,在技术许可的情况下,把发射极条作得又窄又长,因而在一个很小的有源基区和发射区范围内得到一个大的发射极周长。窄的金属条要求以梳状结构降低条宽,但这要产生附加的电阻。其结果将增加电压降,它将引起沿着发射极条长的注入下降。因减小条宽引起的问题可由增加金属化厚度
1974年05期 16-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 1709K] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 侯立章;
以浓掺杂的多晶硅做为扩散源用在薄基区晶体管的砷扩散和磷扩散的一种新工艺已经发展起来。它包含用化学气相淀积方法淀积掺杂的多晶硅(掺杂的多晶硅以下称为DOPOS)和在氧化环境中的扩散过程。扩散过程中,在DOPOS表面上形成硅氧化膜,它阻止了杂质的外扩散并导致了杂质在DOPOS层中的凝聚。这样一来,通过1000℃的扩散可以在硅衬底中引起大约2×10~(20)原子/厘米~3的高表面浓度。背面散射分析表明在DOPOS和硅衬底的接触面上没有杂质积累;也就是说没观察到堆积现象。DOPOS工艺在重复性和器件大量生产方面是优越的,尤其作为砷发射极扩散方法更有效。由于在扩散过程以后在发射区上面保留了DOPOS,因此成功地防止了铝电极引起的发射极-基极短路。在单个晶体管情况下(As—DOPOS),f_T达5千兆赫;对电流型逻辑门电路的单片集成电路(P—DOPOS),t_(oa)在35毫瓦/门电路时达0.6毫微秒。
1974年05期 25-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 454K] [下载次数：61 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - Robert W. Bower;綦素琴;
本文叙述用于硅集成电路中的铝-钛金属化工艺,这种金属化能产生高电导的电接触,而对硅的溶解可以忽略。然而,如果反应的产物TiAl_3能去掉整个钛层的话,那么希望要的接触是得不到的。TiAl_3是在金属化后用来稳定接触的电特性而进行热处理时形成的,发现在这样的反应中按比例于t~(1/2)的速率消耗钛层,速率常数由d=d_oexp(-E_a/kT)确定,式中d_o≈0.15厘米~2/秒和E_a≈1.85电子伏。这个速率常数能用来确定制造合乎要求的电接触所需要的钛层的厚度。
1974年05期 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 251K] [下载次数：1788 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 阿部东彦;王长河;
<正> 一、引言在半导体工业特别在集成电路制造工艺的照象制版技术中,需要用很多手工操作,同时还要甩很多化学药品。这些化学药品的操作有危险性同时其废液的处理也很困难,因此应避免使用。最近为了改善这些危害和化学处理技术特有的缺点,已经考虑采用气体等离子体技术来处理片子的方法。用氧等离子体去除感光性树脂就是其中之一例,它已成为集成电路制造技术的固定工序之一。本文介绍了运用等离子体腐蚀硅化合物的试验结果。这种气体等离子体腐蚀技术与从前的氢氟酸或磷酸系混合液之腐蚀技术不同,它具有无需进行废液处理、操作安全、
1974年05期 39-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 276K] [下载次数：137 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 耿秉坤;徐立生;
<正> 一、可靠性设计的目的及主要内容随着现代科学技术的发展和复杂的综合系统不断出现,对可靠性要求也愈来愈高。例如大型电子计算机、导弹、雷达、卫星和载人宇宙飞船等系统要能可靠地进行工作,从一开始就必须对设计、生产和使用等各个方面进行全面系统地考虑,从可靠性角度出发,对系统的各部分、各阶段,进行全面认真地推敲,提出要求和措施,所有这些工作统称为系统可靠性设计。因此,可靠性设计的目的就是为了提高系统的可靠性,它必须从开始设计构思阶段起就要进行全面的考虑。如不从设计阶段考虑可靠性,而等到系统装成以后,再去修修补补,这样不仅浪费经费,拖延时间,而且系统的可靠性也根本无法保证。
1974年05期 45-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 610K] [下载次数：118 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] <正> 本文系统地研究了在500℃下,在氢气中退火的硅—二氧化硅、硅—氮化硅及硅—二氧化硅—氮化硅界面处的界面态。二氧化硅、氮化硅、二氧化硅—氮化硅在500℃下在氢气中退火15分钟,所用气体必须经过分子筛干燥剂,使其水汽含量减到百万分之五以下。通入的氢气在热的钯(≈850℃)上面产生出原子氢或新生态氢,从钯管流出的氢气的一部分到达退火系统后,逐渐冷却到500℃,但决不能低于500℃。装钯的管子的输出端与退火系统间的距离约为8时,气体的流量速度保持在每分钟1立升左右,这时的线流速大约是20厘米/分,退
1974年05期 62-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 70K] [下载次数：7 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ]