- 吴来安;
<正> 伟大领袖毛主席教导我们:“……特别要反对以原子弹为武器的侵略战争!如果这种战争发生,全世界人民就应以革命战争消灭侵略战争,从现在起就要有所准备!”根据当前核动力、核武器以及空间技术的发展,国外对半导体抗辐射问题已作了大量研究,对各种电子元、器件特别是半导体器件和集成电路的损伤情况、衰变规律以及损伤分析,已有了一个初步认识。同时在改进措施上也取得一定的进展。为了彻底打破苏美两霸的核讹诈和核垄断,我们不仅要进行必要的热核试验,同时也要研究耐辐射的电子元、
1975年08期 1-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 1085K] [下载次数：185 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - R·G·Hunsperger;邓先灿;
用硫离子直接注入掺铬半绝缘衬底作成沟道区,制成了砷化镓微波场效应晶体管,这样就避免了生长外延层。这一离子注入法已用于制作0.25微米厚、厚度及载流子浓度均匀的n型层,对不同的样品载流子迁移率在2410～3620厘米2/伏·秒范围。由于均匀性好,用此注入层制作的场效应晶体管同一个片子上各个管芯的跨导和夹断电压重复性好,其偏差不超过±10％。通常,掺铬的砷化镓满足于制作场效应晶体管,然而为了获得最高的迁移率希望铬的补偿最小。表征微波特性的S参数测量推算出f_(max)=20千兆赫,然而因阻抗失配和管壳参量的影响,传输增益大约在7千兆赫截止。
1975年08期 17-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 430K] [下载次数：26 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] - 浅野雅文;欧福贤;
<正> 随着大规模集成电路(LSI)的高密度化,图形微细化,进一步对尺寸、曝光精度有更严格的要求,所以从光刻掩模到光致抗蚀剂剥离技术这一系列的光刻工艺过程(装置的选择、安装、维护,材料药品的选择、使用方法,工艺最佳条件的掌握,环境)全都要求提高到同一水平。就一般情况而言,形成所希望的图形是越来越困难了。仅就抗蚀剂的选择和使用技术来说,并不构成形成微细图形的必要条件,这里仅就抗蚀剂加以说明。由负性抗蚀剂制作微细图形 1.负性抗蚀剂的特长抗蚀剂分为负性和正性,无论哪种,分辨率都超过现在的光学系统。但两者在特性
1975年08期 23-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 669K] [下载次数：23 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - StephenI·Long;张素文;
为了生长厚的、掺杂均匀的外延层,研究了稳态液相外延生长法。本文阐述了生长不均匀问题的结果。为了得到良好的热均匀性,采用了圆柱形对称的垂直外延系统。所观察到的生长速率同温度梯度、生长温度和衬底相对于溶液位置的影响有关。当衬底放在溶液的顶部时,认为外延层厚度不均匀的主要原因是对流,而不是组份过冷、热不均匀性或者扩散。观察到生长速率比由扩散理论预计的大二个量级。当衬底放在溶液的底部时,观察到了扩散限制生长。厚度的变化由边缘效应控制。
1975年08期 29-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 371K] [下载次数：56 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - R.A.Gardner;高明星;孟金玉;
按常规工艺制造多层陶瓷衬底时,产品的质量取决于所用材料的一些性能。本文讨论制备多层陶瓷衬底中采用的生陶瓷片的若干重要特性。阐述了瓷料粒度和粘合剂对生陶瓷片性质的影响,提出了测量这些特性的方法。
1975年08期 38-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 336K] [下载次数：29 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 张慕义;
<正> 如果用具有几百电子伏能量的离子轰击物质,那么每个离子打在物质上后大约就会有一个原子从物质中飞出。可以利用这样的离子轰击一个个地去除原子,这种方法称为离子磨削或离子腐蚀。最近已用于磁泡、DFB激光器、弹性表面波元件中微米以至亚微米的微细加工。光刻技术中的化学腐蚀被离子腐蚀代替的例子很多。如图1所示,将部分表面掩蔽起来,而后使用离子轰击加工。掩模材料可以原封不动地使用光致拉蚀剂,图形可以用光刻技术或电子束曝光来制作。兼顾到腐蚀速度和加工影响,离子的加速电压控制在1～5千伏之间,离子电流密度为1～10毫安/厘米~2。双等离子管和空心阳极等离子枪可使用具有φ1～50毫米
1975年08期 46-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 273K] [下载次数：42 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] -
<正> 苏联学者提出了一种简单有效的制作难熔金属单晶的方法,制出的单晶可广泛用于制造半导体器件及计算机。采用一种特殊的自动装置使金属在直流电弧中生长。首先让金属在电弧一端的电极上溶解,然后移动到另一端电极上并在那里生长成单晶。与过去的方法不同,这种新方法具有许多优点,能较好地防止材料的污染,并能够控制操作的压力。据称,采用此法已制出了氧化铁和镍的单晶。
1975年08期 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 119K] [下载次数：5 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] 下载本期数据