- 孺子牛;
<正> 除双极晶体管外,场效应晶体管是集成电路中已经采用的重要有源器件。本章将讨论结型和金属—绝缘体—半导体(MIS)场效应晶体管的物理理论、电特性、等效电路、线性和开关电路应用以及大规模集成等。引言 1.电压控制的电阻信号放大的概念与电阻的调制有关。场效应原理可简单地解释为电压控制的电阻,意思是电阻的某些特性是与电压有关。一固体的电导G取决于电导率σ和结构的物理尺寸
1971年09期 1-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 3446K] [下载次数：68 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 王长河;
<正> 引言在金属—氧化物—半导体(以下简称“MOS”)器件中,作为栅绝缘层的介质薄膜是器件的主要部分,器件的工作和特性对其性能很敏感。因此在MOS工艺中着重于这层氧化物的制备。对于多数非临界使用的情况下,通常商用硅作栅氧化物的MOS器件及集成电路还是适用的。其工艺过程现已能较好地控制,并已相当地简化了。更多良好的试验结果也已获得,因此给低成本MOS电路的大规模集成电路(LSI)未来发展提供了保证。然而,对于某些较苛刻的要求,就遇到了两个可靠性方面的问题:(1)极微量的杂质在该薄膜中的迁移,特别
1971年09期 34-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 370K] [下载次数：59 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 孺子牛;
<正> 简单回顾一下金属—氧化物—半导体(以下简称“MOS”)绝缘栅场效应晶体管的一些基本特点。这些器件包含扩散在硅衬底上的两个电极(源和漏)。源和漏由有限的空间分离开,所以形成了一个多数载流子传导沟道。金属栅做在沟道之上并与之绝缘。 n型沟道器件一般在漏电源电位(V_(dd))、源和衬底地电位(V_(ss))下工作。如果给栅加上正电位,则在栅极和衬底之间产生一电场。由于电场必须终止在电荷上,电子通过衬底并且随
1971年09期 40-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 346K] [下载次数：22 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 永学先;
<正>~~
1971年09期 51-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 489K] [下载次数：13 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 由中强;
本文叙述了利用多晶硅做栅电极的绝缘栅场效应晶体管集成电路的工艺和特性。在概述硅栅工艺特性之后,还评述了硅-二氧化硅-硅系统的某些基本特性,制造硅栅器件的工艺步骤,以及所制得器件的电特性。利用具有译码逻辑电路的八个通道的3705型多重开关对硅栅工艺与一般工艺进行比较。给出了硅栅工艺的设计考虑和某些设计样品。
1971年09期 69-86页 [查看摘要][在线阅读][下载 1161K] [下载次数：82 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 何建华;
硅栅工艺为完成场效应晶体管的大规模集成矩阵提供了方便的途径。它的优点(主要由于低阈值电压和掩埋在绝缘体内的自对准栅结构)是容易与双极型电路耦合並能提高二者的性能和功能元件密度,使MOS集成电路更好用、更价廉。本文评述最近采用这一工艺的进展情况,並用一存储器电路为例来说明构成复杂数字功能电路的应用。
1971年09期 87-94页 [查看摘要][在线阅读][下载 1148K] [下载次数：71 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 童镇溥;
<正> 引言采用通常的晶体管制造工艺,要在单片上制出即使不是特别多的器件的大型矩阵已被证明是很困难的。这有好几个原因,其中最重要的原因是光刻中相继的腐蚀掩模精密对准中所固有的陷坑,以及在以后不易获得高质量的氧化层。本文的目的在于引入新的工艺概念以求彻底解决或尽量减少这些问题。这些概念涉及到以这样的方式来应用现有的材料和技术:在加工的每一步不要求很高精度并能达到自掩蔽的目的。这一方法的特点,一是利用在开始时所淀积的绝缘层,由于有不同的溶解度因此在腐蚀工序中能达到自掩蔽的目的;一是采用了淀积多晶硅工艺,它既作为自对准扩散掩模,又是理想的栅电极。这些器件工艺参数本徵化学控制的概念适用于多种类型的器件。我们将在下面用感应沟道,或增强型绝缘栅场效应晶体管(IGFET)模型来举例说明。
1971年09期 95-100页 [查看摘要][在线阅读][下载 471K] [下载次数：30 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 孺子牛;
在硅栅金属-氧化物-硅(以下简称“MOS”)集成电路中,由于增加了多晶硅互连层,因而用接地的多晶硅区作为衬底和金属间的静电屏蔽,以消除在电路中某些临界点处的寄生厚介质场晶体管作用在实际上是可能的。
1971年09期 101-103页 [查看摘要][在线阅读][下载 270K] [下载次数：16 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] 下载本期数据