- 褚金奎,郝秀春,王立鼎
通过对两种柔性结构的拓扑优化,比较了拓扑优化中三种主要求解方法的优缺点。分别用优化准则法(OC)、序列线性规划法(SLP)和移动渐近线法(MMA)对悬臂结构和力反相机构进行了拓扑设计。OC法通用性差,但效率高;SLP法通用性好,但收敛速度慢,对初值敏感;MMA法计算效率低,但对初值不敏感,比较稳定。
2005年10期 [查看摘要][在线阅读][下载 354k] [下载次数：662 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：1 ] - 郭维廉
在“共振隧穿器件概述”的基础上,对共振隧穿器件应用电路作了全面概括的介绍。首先对共振隧穿器件应用电路的特点、分类和发展趋势作了简述;进一步对由RTDH/EMT构成的单-双稳转换逻辑单元(MOBILE)和以它为基础构成的RTD应用电路,包括柔性逻辑、静态随机存储(SRAM)、神经元、静态分频器等电路的结构、工作原理和逻辑功能等进行了介绍。关于RTD/HEMT构成的更为复杂的电路,如多值逻辑、AD转换器以及RTD光电集成电路等将在本讲座最后部分进行讲解。
2005年10期 [查看摘要][在线阅读][下载 1216k] [下载次数：304 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：1 ] - 张波,梁二军,徐晓峰,谢涵坤,王良
利用磁控溅射制备了纯ZnO薄膜,并在NH3O-2A-r气氛中溅射Zn靶实现了ZnO薄膜的N掺杂;利用双靶共溅的方法分别制备了Al掺杂和N+Al掺杂样品。原子力显微镜(AFM)观察显示各ZnO薄膜样品具有较好的晶粒分布,退火处理能够显著提高薄膜的结构状态,N+Al共掺杂样品具有较好的表面平整度;在438cm-1附近观察到了喇曼谱特征峰;透射光谱揭示了激子的吸收特征和掺杂样品的吸收边向短波方向移动;发射光谱测试表明,掺杂样品比未掺杂样品有更强的紫外发射;同时分析了ZnO薄膜的掺杂机理。
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介绍了单分散量子点的无机成核/有机包裹的合成方法,并通过选择性沉淀可以得到单分散的半导体量子点;介绍了TEM,XRD,UVV-is吸收谱对纳米Ⅱ-Ⅵ族量子点的表征。
2005年10期 [查看摘要][在线阅读][下载 500k] [下载次数：286 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：1 ] - 苏祥林,吴振宇,汪家友,杨银堂
介绍了低k介质材料的研究和发展状况,从制备方法和材料特性等不同角度对低k材料进行分类,并结合ULSI对低k材料的要求讨论了低k材料在ULSI中的应用前景。
2005年10期 [查看摘要][在线阅读][下载 333k] [下载次数：653 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：26 ] |[阅读次数：1 ] - 姜政,丁桂甫,张东梅
利用ANSYS有限元分析软件并结合工艺条件,就其中的热执行按照快速响应的特点,对各结构参数与热执行器部件的驱动力、驱动位移、电阻、响应时间等驱动性能的影响进行了分析与仿真,从而得到了优化结构设计。此设计所要达到的目标是,热执行器驱动电压为5V,响应时间为2ms,末端最大位移为3.16×10-4m,末端位移20μm时的驱动力为4.94×10-3N。
2005年10期 [查看摘要][在线阅读][下载 327k] [下载次数：198 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：1 ] - 李伟东,张建辉,吴学忠,李圣怡
简单介绍了ICP刻蚀系统和刻蚀原理。通过实验分析了ICP刻蚀SiO2和Cr时,刻蚀速率随相关工艺参数变化而变化的几点规律。同时给出了用ICP刻蚀出的MEMS传感器Si基腔的表面形貌图和Cr电阻的显微镜照片。
2005年10期 [查看摘要][在线阅读][下载 379k] [下载次数：1012 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：25 ] |[阅读次数：1 ] - 杨毅,刘宏英,姜炜,李凤生
为了解决目前普通球磨机在制备微纳米片状金属粉时存在的粉碎效率不高、能耗高等问题,结合球磨机和搅拌磨的粉碎原理和结构,设计并研制了一种内部搅拌轴和外部筒体反向旋转的球磨机。考察了该设备对金属粉和合金粉片状化粉碎的能力,并与普通球磨机和普通搅拌磨进行了对比研究。发现所研制的设备在片状化和机械合金化方面具有较强的能力,金属产品片的直径为1～3μm,厚度约为0.2μm,比起前两种粉碎设备,该设备具有作用力场复杂、粉碎效率高、产品粒度细等优点。
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研究了交流测试信号振幅对SrTiO3薄膜介电性质的影响,并比较研究了不同氧空位浓度的SrTiO3薄膜介电性质随测试信号振幅的变化规律。经研究发现,测试信号振幅对高氧空位浓度钛酸锶薄膜的相对介电常数有明显影响,而对低氧空位浓度钛酸锶薄膜的相对介电常数影响较小。运用薄膜极化响应机理对这一实验现象进行了解释。
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介绍了离子注入机中注入剂量的均匀性检测和校正,着重阐述了均匀性的检测原理、均匀性计算公式、均匀性检测和校正流程及算法。
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