技术论坛

  • 基于硅透镜集成的高灵敏度室温太赫兹探测器

    孙云飞;孙建东;秦华;班建民;罗恒;陶重犇;胡伏原;田学农;

    提出了一种基于硅透镜集成的高灵敏度GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的太赫兹模组探测器。在太赫兹波辐照下,超半球硅透镜可以有效提高太赫兹波收集效率和消除被测器件的衬底干涉效应,进而提高探测器的灵敏度。对集成有直径为6 mm超半球硅透镜的太赫兹探测器件进行了仿真和测试。研究发现在频率为600和900 GHz的太赫兹波辐照下,硅透镜中心区域的太赫兹电场分别增加到原来的5.9倍和6.8倍。在300 K下器件的响应度和噪声等效功率分别为4.5 kV/W和30 pW/Hz0.5,在77 K下器件的响应度达到100 kV/W,噪声等效功率降至1 pW/Hz0.5。

    2017年11期 v.54;No.486 729-733页 [查看摘要][在线阅读][下载 359K]
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器件与技术

  • 基于自支撑GaN和蓝宝石衬底AlGaN/GaN MISHEMT器件对比

    李淑萍;孙世闯;张宝顺;

    通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,采用低压化学气相沉积SiN_x作为栅介质层,形成金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)结构,对比研究了两种器件的材料性能和电学特性。阴极发光测试表明HVPE的自支撑GaN衬底缺陷密度可降至6×10~5 cm~(-2)量级。自支撑GaN衬底上AlGaN/GaN HEMT结构具有良好的表面形貌,其表面粗糙度R_a仅为0.51 nm,具有较大的源漏电极饱和电流I_(DS)=378 mA/mm和较高跨导G_m=47 mS/mm。动态导通电阻测试进一步表明,自支撑GaN衬底上同质外延生长的GaN缓冲层具有低缺陷密度,使AlGaN/GaN MISHEMT电流崩塌特性得到抑制。

    2017年11期 v.54;No.486 734-739页 [查看摘要][在线阅读][下载 491K]
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  • ZnSe∶O/ZnO核壳结构纳米线中间带太阳电池的设计

    聂奎营;胡总华;

    为了得到ZnSe∶O/ZnO核壳结构纳米线中间带太阳电池的最优吸收效率,通过时域有限差分法对纳米线的直径进行了优化,使纳米线的吸收光谱与太阳光谱相重合的波段有较高的吸收效率,并且使ZnSe∶O/ZnO纳米线的吸收光谱在带边和中间带有共振模式,从而使中间带太阳电池的吸收效率在ZnSe∶O的带边和中间带是最大的。为了进一步提高中间带的吸收效率,通过在纳米线两侧制备圆柱形铝天线的方法,利用金属铝天线的局域表面等离激元共振,使中间带太阳电池在中间带的吸收效率进一步增强到近两倍。这种方法为制备高性能的太阳电池和光探测器等光电器件开辟了新的途径。

    2017年11期 v.54;No.486 740-744页 [查看摘要][在线阅读][下载 293K]
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材料与结构

  • 石墨烯/金属接触研究进展

    闫祥宇;粟雅娟;贾昆鹏;李梅;马源骏;韦亚一;

    石墨烯/金属接触是石墨烯应用在集成电路领域的一个重要问题,按照其接触方式的不同,介绍了近年来关于石墨烯/金属接触的研究,主要分析了面接触与边缘接触的接触机理以及不同接触方式的器件结构,比较了各种接触方式的优劣。由于金属与石墨烯的电流主要通过边缘传输,通过在石墨烯与金属的接触界面引入边缘接触,增加了电流流经的路径,从而减小石墨烯与金属的接触电阻率。最后总结出边缘接触是最可能优化其接触电阻率的技术方案,并展望了石墨烯/金属接触的研究前景。

    2017年11期 v.54;No.486 745-751页 [查看摘要][在线阅读][下载 498K]
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MEMS与传感器

  • 设计和工艺参数对声表面波器件性能的影响

    胡铭楷;翁昊天;刘骏尘;付学成;史丽云;丁桂甫;张亚非;段力;

    设计并制作了多种声表面波(SAW)器件,并研究了设计参数与工艺参数对器件特性的影响。首先在同一块掩膜板内设计了多组不同尺寸与间距参数的SAW器件,然后用微电子机械系统(MEMS)微加工工艺在Mg_xZn_(1-x)O/Si压电薄膜和128°YZ与XZ取向的LiNbO_3压电材料衬底上制作了多种SAW器件。利用X射线衍射(XRD)对压电材料的压电晶向进行了测量、表征和工艺比较,确定了适宜的薄膜溅射条件。利用网络分析仪(VNA)及高频探针台测量了S11高频特性,测量结果表明相对应的谐振频率值与理论值相符合,测出的谐振频率在80~330 MHz。分析了工艺偏差对SAW器件谐振特性的影响。分析结果表明由于工艺偏差导致的叉指电极的指宽差异导致了谐振频率与理想计算值的偏差,工艺偏差同样会导致S11曲线的不对称和谐波的产生。通过LiNbO_3上制作的SAW器件计算出的声波传播速度比较统一,128°YX LiNbO_3上制作的SAW器件计算出的声波传播速度为3 800~3 900 m/s,XZ LiNbO_3上制作的SAW器件计算出的声波传播速度为3 300~3 400 m/s;而在Mg_xZn_(1-x)O/Si压电薄膜上制作的SAW器件推算出的声波传播速度与设计波长或相关尺寸有关。

    2017年11期 v.54;No.486 752-759页 [查看摘要][在线阅读][下载 413K]
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  • 一款基于MEMS工艺的超宽带八边形缝隙柔性天线

    黄成远;张斌珍;段俊萍;王雄师;白琼;

    设计了一款小型超宽带(UWB)共面波导(CPW)馈电的八边形缝隙柔性天线,可应用于超宽带无线通信系统。该天线采用了新兴柔性材料聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为介质基板,并在PDMS介质基板的一侧单面覆铜,设计了八边形辐射单元结构和具有八边形缝隙的金属地。为降低工艺难度、简化工艺流程,采用了共面波导进行馈电,并设计了具有阻抗线性渐变功能的梯形结构的信号导带。利用电磁仿真软件对天线进行仿真优化,基于微电子机械系统(MEMS)工艺对天线进行加工制作,并进行了测试。结果表明,所设计的天线带宽达到了11.40 GHz(3.10~14.50 GHz),阻抗相对带宽约为130%,频带内电压驻波比小于2,阻抗匹配良好。测试结果与仿真结果基本一致,天线实现了超宽带工作性能。

    2017年11期 v.54;No.486 760-765页 [查看摘要][在线阅读][下载 374K]
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  • 基于摩擦和压电复合机制的接触-分离式纳米发电机

    朱杰;侯晓娟;何剑;丑修建;张文栋;

    介绍了一种基于摩擦和压电复合机制的接触-分离式纳米发电机的制备方法,利用倒模工艺形成带有铜网微结构的硅胶膜,与铝电极形成顶端摩擦层结构;利用聚偏氟乙烯(PVDF)膜和铝电极形成底端压电层结构,其中中间铝电极为共享电极,使摩擦单元和压电单元协同工作。研究结果表明,摩擦单元和压电单元在接触-分离的周期过程中产生的电信号不同步,需要分别对它们进行整流后混合输出。摩擦单元整流后的电压峰值约为100 V,压电单元整流后的电压峰值约为50 V,整流后混合输出的电能能够点亮50盏LED灯,存储在电容中能够为电子表正常工作持续供电,因此,复合纳米发电机可以作为振动能量采集器被广泛应用。

    2017年11期 v.54;No.486 766-771+780页 [查看摘要][在线阅读][下载 634K]
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  • 微半球谐振陀螺技术研究进展

    汪红兵;林丙涛;梅松;江黎;蒋春桥;

    首先介绍了微半球谐振陀螺(μHRG)基于驻波进动效应进行角度或角速度检测的工作原理。依据谐振子制作工艺的区别,将微半球谐振陀螺分为微玻璃吹制型、牺牲层型、精加工型三种,并对上述三种类型微半球谐振陀螺的加工工艺方案及特点、谐振子尺寸、陀螺或谐振子性能参数的国内外研究成果进行了详细阐述。简要对比分析了三种类型微半球谐振陀螺的优缺点,如潜在精度、体积、成本、与IC可集成性、批量化前景等,指出了微半球谐振陀螺目前面临的主要工艺技术问题,并针对此从工艺方案设计、工艺参数优化等方面提出了一些可能的技术解决途径。

    2017年11期 v.54;No.486 772-780页 [查看摘要][在线阅读][下载 638K]
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加工、测量与设备

  • 基于阴离子表面活性剂的铜CMP后清洗新型碱性清洗液

    刘宜霖;檀柏梅;高宝红;胡新星;路一泽;

    铜布线化学机械抛光(CMP)后清洗的主要对象是CMP工艺后在铜表面的残留物,包括硅溶胶颗粒、金属离子与有机物残留。采用PVA刷洗的清洗方式对CMP后表面残留的硅溶胶颗粒与表面吸附的苯并三氮唑(BTA)的去除进行了实验研究。通过原子力显微镜(AFM)和接触角测量仪对两种阴离子表面活性剂(十二烷基苯磺酸(LABSA)和脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸铵(AESA))与FA/O型非离子表面活性剂在碱性环境中对硅溶胶颗粒及BTA的去除效果进行分析表征,并对去除效果进行了对比。实验得出此两种阴离子表面活性剂在较低质量分数下就能达到FA/O型非离子表面活性剂在高质量分数下才有的颗粒去除效果。AESA在质量分数为0.05%时配合质量分数为0.015%的FA/OⅡ型螯合剂不仅能有效去除晶圆表面沾污的硅溶胶颗粒,同时能有效去除表面沾污的BTA。

    2017年11期 v.54;No.486 781-786页 [查看摘要][在线阅读][下载 376K]
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  • 柔性基底导电银墨水喷墨打印工艺分析

    曹威武;潘开林;韩旭峰;李婷婷;王文佳;

    以银导电墨水为打印墨水材料,以热塑性聚氨酯弹性体橡胶(TPU)薄膜为柔性基底材料,通过压电式材料喷墨打印机在柔性基底上打印导电膜图形。通过光学显微镜对基底材料表面打印银墨水状态观察发现:基底表面亲水处理可以有效提高基底对银墨水的吸附力;柔性薄膜适当的预拉伸有利于提高薄膜平整度,提高墨水打印导电膜图形的质量;墨滴质量、喷嘴状态及喷嘴和基底薄膜的间隙校正是保证打印均匀性的关键;在烧结工艺中,采用逐渐提高温度的方式,可达到逐渐释放热应力的目的,减少由于温度剧变对TPU薄膜表面银墨图形结构产生变形或龟裂的现象,可有效地提高烧结后所形成导电图案的完整性和连续性。

    2017年11期 v.54;No.486 787-790页 [查看摘要][在线阅读][下载 322K]
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  • 基于螯合剂与活性剂的Cu-CMP清洗液对BTA去除的影响

    杨柳;刘玉岭;檀柏梅;高宝红;刘宜霖;

    以螯合剂与活性剂为材料,利用难溶物质微弱电离平衡、螯合剂络合机理以及活性剂的铺展、润湿以及渗透作用,结合有机物结构相似相溶原理,研制新型碱性清洗液,用于有效去除Cu-CMP后的苯并三氮唑(BTA)。通过接触角测试、电化学实验以及原子力显微镜(AFM)测试可以得出:体积分数为0.015%的FA/OⅡ螯合剂、体积分数为0.003%的FA/OⅠ螯合剂与体积分数为0.1%的FA/O活性剂组成的新型碱性清洗剂,采用清洗液体积流量为1 440 mL/min进行PVA刷洗,可以有效去除BTA,且具有较低的表面粗糙度和较高的表面耐腐蚀性。螯合剂既可以与Cu-BTA反应生成铜胺络离子去除BTA,也可作为催化剂,提高活性剂在Cu表面的铺展、润湿及渗透效果,进一步增强BTA的去除效果。

    2017年11期 v.54;No.486 791-796页 [查看摘要][在线阅读][下载 367K]
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  • GaSb单晶片CMP工艺的研究

    边子夫;李晖;徐世海;刘卫丹;陈阳;高飞;朱磊;

    主要研究了GaSb单晶片的化学机械抛光(CMP)。使用硅溶胶作为抛光液对切割、机械抛光后的GaSb单晶片进行了CMP实验。在实验中,通过调节抛光液配比、pH值等工艺参数,研究不同氧化剂的掺入以及抛光液不同pH值对GaSb单晶片表面的影响。通过实验得出,最终在pH值为8且使用NaClO作为氧化剂的条件下,得到平整度较好、表面缺陷少、表面粗糙度低的高质量抛光表面的GaSb单晶片。通过微分干涉显微镜观察抛光后的单晶片表面无明显缺陷。经原子力显微镜(AFM)测试,单晶片的表面粗糙度达到了0.257 nm。

    2017年11期 v.54;No.486 797-800页 [查看摘要][在线阅读][下载 283K]
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  • 第三届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会会议通知

    <正>为推动我国新型功率半导体器件技术水平进一步提高、加快其成果转化和应用推广、提高自主创新能力,由中国半导体行业协会分立器件分会和株洲中车时代电气股份有限公司共同主办的"第三届全国新型功率半导体器件及应用技术研讨会"将于2017年11月24日在湖南长沙召开。一、会议时间和地点

    2017年11期 v.54;No.486 744页 [查看摘要][在线阅读][下载 69K]
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  • 中国电子科技集团公司第十三研究所激光器产品推介

    <正>中国电子科技集团公司第十三研究所研发生产了半导体激光器、固态激光器和光纤激光器三大系列激光器。其中,半导体激光器以高功率为主要特点,在800~1 064 nm近红外波段,连续激光器功率达到4 000 W,脉冲激光器峰值功率达到5 000 W,应用于固态激光器泵浦、光纤激光器泵浦、红外照明、望远镜测距、汽车防撞和激光雷达等领域。

    2017年11期 v.54;No.486 765页 [查看摘要][在线阅读][下载 92K]
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