- 管野卓雄;韩直;
<正> 场效应晶体管的历史是很早的,从人们经常引用的文章可以追溯到1928年 Lilien-feld 的专利。1952年肖克莱提出了结型栅场效应管的理论,但因很多人集中全力进行了双极晶体管的研制,所以它并没有得到显著的进展。到1960年,MOS 场效应管诞生了,它才代替了双极晶体管成为当时研制的主要目标。研究内容有针对二氧化硅中离子的运动所引起的不稳定现象和硅-二氧化硅界面上的能级,进行了物理学研究,为了减少它们的影响而进行了不少工艺性的研究。
1976年Z1期 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 194K] [下载次数：178 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 长回勇;刘玉俊;
<正> 自1966年 C·A·Mead 提出肖特基势垒栅砷化镓场效应晶体管(以下称为 GaAsMES-FET)以来,经过精心的研究,其性能已有显著地改进,特别是近年来,随着以通信卫星为主的通信系统的进展,迫切地希望低噪声器件在 S～X 波段上的实用化。然而,过去这多半还是靠参量二极管、变容二极管以及双极晶体管来实现的。其主要原因则是GaAsMESFET 研制时间不长,缺乏关于其应用电路技术和器件可靠性等方面的经验。然而,随着这些问题的逐步明确,预期这种 GaAsMESFET 将在今后各个领域内得到广泛应用。本文将以1微米栅的 GaAsMESFET 为主,叙述 MESFET 的应用。
1976年Z1期 5-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 303K] [下载次数：62 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：2 ] - 吉田魏;韩直;
<正> 以静电感应晶体管(SIT)而命名的器件,听起来似乎是一种新的东西。可是近1～2年来,在杂志和报纸,特别是和音频有关的杂志中,被广泛称作“三极管特性场效应晶体管”、“不饱和特性场效应晶体管”、“纵形场效应晶体管”、“功率场效应晶体管”等等。至于静电感应晶体管这个名称,则远不如这些称呼时髦了。这样的事是常有的,一种器件出现了,但其名称则是后来才确定下来的。不过这里需要注意的是上述诸称呼与 SIT 指的不一定是同一种东西。SIT 这个名称是东北大学西泽润一教授根据新的晶体管的工作原理而命名的。可以
1976年Z1期 12-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 947K] [下载次数：33 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 又吉博一;戴玲华;
<正> 尽管小信号用的硅 MOS 场效应晶体管已经大量生产和大量使用,但功率用的硅MOS 场效应管除了二、三篇报告以外还没有别的报道。高频大功率 MOS 场效应管所以出现较晚的原因,一方面是由于出自 MOS 场效应管的工作原理而使管芯面积增大,也就是说因为 MOS 场效应管的电流通路是在表面极薄的沟道层,所以为了流过大电流,管芯的面积就要增大,以取得电流通过的面积。同时,作为高频功率用的场效应管沟道长度要短,沟道宽度也要显著地加宽,就工厂生产技术水平而言,能否稳定地成品率较高地
1976年Z1期 20-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 478K] [下载次数：114 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 小川正毅;袁明文;
<正> 为了获得良好的砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(简称 GaAs SBFET),有必要在结构上缩短栅长 L 减少寄生损耗。目前,尤其在缩短栅长方面已做出极大努力,并正在研究接触曝光、投影曝光以及电子束曝光方法。虽然已出售用接触曝光方法制作的1微米栅 GaAs SBFET,已经获得超过以前的硅双极晶体管高频低噪声特性,仍希望进一步缩短栅长。我们采用改良的接触曝光方法试制了0.5微米栅结构的 FET,已证实可以良好地批量生产。试制的 FET 得到了空前良好的高频低噪声特性,最高振荡频率 f_(max)为85千兆
1976年Z1期 27-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 407K] [下载次数：25 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 黑野浩和;梁春广;
<正> 砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管期待作为几千兆赫以上具有优良性能的微波放大器件,一些单位都在积极开展研究。然而目前只有少数的硅双极晶体管在6千兆赫以上实现了比较优良的性能,已有几家市售产品,然而考虑到将来砷化镓场效应晶体管大有希望,可能取而代之。另外,使用砷化镓场效应晶体管的各种微波仪器的研究也极其活跃起来,预计不久将来,使用砷化镓场效应晶体管的 X 波段低噪声放大器将实用化,它必将取代过去所用的低噪声行波放大器(TWT)。
1976年Z1期 32-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 234K] [下载次数：12 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 须山胜彦;袁明文;
<正> 具有和真空管同样性能的固体放大器件的设想已在三十年代就提出来,1948年发明点接触型双极晶体管的巴丁、布拉吞、肖克莱等人最初也是把实现目前的场效应晶体管作为努力的目标,这已是众所周知的历史事实。此后,双极晶体管取得了惊人的进步,而与此相反,场效应管却处于停滞状态。从双极晶体管的飞速发展情况看来,继锗晶体管之后的硅晶体管难道不是完全取代小信号放大用以至于高频大功率用的真空管吗?实践回答,否!在包括硅晶体管在内的半导体放大器件前进道路上出现了强大的竞
1976年Z1期 38-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 408K] [下载次数：22 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 高桥清;张学书;
<正> 分子束外延的特点及在场效应晶体管中的应用分子束外延(MBE)自问世以来,已经过了六年,现在已由萌芽初期发展到成熟阶段。分子束外延像在许多报导中介绍的那样,是真空蒸发的一种。然而在超高真空中(<10~(-9)乇),通过精确地进行生长制控,可获得与液相或汽相晶体同等质量的生长层。此外,MBE 还具有膜厚控制精确、容易的突出优点。图1示出了 MBE 的特点及其用它制备器件的流程图。由图可知,产生上述优点的根本原因是由于膜的生长是由在超高真空中飞散着的蒸发物本身
1976年Z1期 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 261K] [下载次数：27 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：1 ] - 佐藤安夫;孟庆林;
<正> 砷化镓场效应晶体管作为超高频领域的放大器件占有极其重要的地位,这一点本文不再赘述。由于该器件的栅下电子流是由栅势垒的耗尽层的变化来控制的,所以,为适应高频应用,电子流的渡越距离即栅长应极力缩短;此外,为降低串联电阻,也需要缩短栅-源间的距离。目前,已有过栅长能缩短到1微米或更小,即栅长1微米时,f_(max)=40～50千兆赫,栅长达亚微米时,f_(max)≈80千兆赫的报告。这种器件结构通常是通过反复的高精度光刻技术来完成的,另一方面,为尽量减少光刻技术的麻烦,提出了许多自调整
1976年Z1期 48-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 257K] [下载次数：14 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 梅钵昭太郎;袁明文;
<正> 砷化镓场效应晶体管自从1966年由 C.A.Mead 提出以来,正在深入地研究发展中,迄今,作为微波用的晶体管几乎已达到实用阶段。在这种微波用的 FET 中,如何缩短栅长的制作工艺技术已成为最大的课题。而采用剥离技术的肖持基势垒栅结构已成为目前最普遍的方法。但是,不论采用这样的剥离技术或者特殊的自对准结构,都要求其对位精度高到接近极限值。另外,由于一般情况下肖特基势垒在热处理中呈现脆弱性,所以这就要求热处理温度有一定范围。
1976年Z1期 53-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 401K] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 中谷正昭;隈部久雄;黄礼蓥;
<正> 砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管(以下缩写成 GaAs SB FET)在微波领域中与硅双极晶体管相比显示出更多的优良特性,在微波通信设备的微波放大器和振荡器中,从小信号低噪声和大功率放大二个方面进行着研究,现在已接近实用阶段。要想提高 SBFET 的性能,有必要把器件结构的最佳设计技术、含有缓冲层的亚微米外延生长技术、源和漏的欧姆电极形成技术,与缩短栅长相关的微细图形制造技术等许多技术加以有机结合起来。
1976年Z1期 58-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 486K] [下载次数：19 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 吉田功;戴玲华;
<正> MOS 场效应晶体管是一种高集成度低功耗器件,以前主要作为数字 MOS 集成电路、大规模集成电路的构成元件而得到发展。由于这种原因,其研究重点主要集中在高集成度、低功耗和高速上。至于高耐压、大功率等方面就没有那样充分地研究。MOS 场效应管其本身的性能上的主要特点是具有高输入阻抗、平方律特性、电流的负温度系数。这些特点应用于 MOSFET 模拟电路能得到更充分发挥.应用于模拟电路的情况下,在降低 MOS 场效应管特有的阈值电压的误差和低频噪声的同时,实现 MOS场效应管的高耐压化、大功率化也是主要的课题。
1976年Z1期 63-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 511K] [下载次数：64 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 阿部惇;罗海云;
<正> 用通常 MOS 或者 D-MOS(双扩散 MOS)制造的串接式结构的场效应晶体管已在国内外各公司进入实用阶段,然而,串接式结型场效应晶体管尽管很早就提出来了,但花了很长时间才得以实现。其最大理由之一可能是因为串接式结型场效应晶体管制造条件超越当时半导体制造技术能力。然而,由于近年来外延技术、选择扩散技术以及光刻技术的进展,终于在国内一些公司开始实用。我们之所以着眼于串接式结型场效应晶体管,是因为它不同于以前的单栅结型场效
1976年Z1期 69-76页 [查看摘要][在线阅读][下载 446K] [下载次数：18 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] - 石谷彰康;林新明;
<正> 本文所述的功率 FET 与以前小信号用的 FET 不同,是一个电流垂直于半导体基片流动的纵向结构器件。其主要优点有:(1)脉冲响应特性好。(2)可以获得 n 型沟道,p 型沟道的互补器件。(3)夹断特性好。(4)输出阻抗低,输入阻抗高。(5)是电压控制器件。笔者所发明的纵形 FET(V 形 FET)是采用选择氧化这一独特的结构做成的。图1示出了 n 型沟道的结构剖面图。这里栅极区域与源电极是用厚的氧化膜分隔开的,因
1976年Z1期 77-82页 [查看摘要][在线阅读][下载 589K] [下载次数：7 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：1 ] 下载本期数据