1992, 04, 24-28
场发射三极管
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DOI:
10.13250/j.cnki.wndz.1992.04.006
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摘要：
本文对场发射阴极三极管RF放大器结构进行了理论和实验研究。论述了大几何尺寸的实验结构和对该结构的理论计算。直流和交流测量表明,理论和实验具有良好的一致性。理论电路模拟所取得的数据对将来更高频率工作是很有用的。在低频下测得的RF电压增益约为11dB,200kHz时降到0dB,而且阴极跨导只有38μS。对这种大型结构的模拟计算表明,1000个锥尖的场发射阴极可工作在2MHz左右,其典型跨导值大于380μS。
Abstract：
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基本信息:
DOI：10.13250/j.cnki.wndz.1992.04.006
引用信息:
[1]R.E.Neidert,李渝生.场发射三极管[J].半导体情报,1992(04):24-28.DOI:10.13250/j.cnki.wndz.1992.04.006.
发布时间：
1992-04-30
出版时间：
1992-04-30