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采用 Ga/AsCl3/H2汽相外延在掺杂半绝缘衬底上生长 FET 的缓冲层。用霍耳、光霍尔、阴极荧光以及新的深能级瞬态电流法(DLTS)研究了缓冲层的双层结构。此双层结构由上层的高纯 n~-层(1013≤n≤1015cm-3;70000≤μ≤150000cm~2V-1s-1)和下边的高阻补偿区两个部分组成。采用电解质-GaAs 接触,观察到 p 型界面。迁移率分布与界面和衬底的碳和铬(可能还有铁)的外扩散有关。并由此提出补偿模型。
Abstract：[1] Allenson M.B.,SERL Tech.J.,Vol.11,p.1,1973
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基本信息:
DOI：10.13250/j.cnki.wndz.1981.02.007
引用信息:
[1]C.Hurtes,张友渝.用于FET器件的GaAs高阻汽相外延层的杂质鉴别[J].半导体情报,1981(02):54-61.DOI:10.13250/j.cnki.wndz.1981.02.007.
1981-03-02
1981-03-02