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本文介绍采用网状发射极结构研制了具有极高可靠性的硅npn高频功率晶体管。指出以往影响这种晶体管可靠性的主要原因是电流集中和电极的电徒动。作者发现热脉冲会引起电极劣化。在动态工作条件下在极短时间内就可引起晶体管的损坏。采用扩散型的发射极镇流电阻,并用SiO2覆盖铝电极可防止其退化。采用这些可靠性措施之后,器件在145℃的结温工作,其MTTF在几百万小时以上,这技术已应用到1千兆赫最大功率30瓦的27个品种的高可靠性网状发射极晶体管(MET)的设计及批量生产中。现在在4千兆赫,7千兆赫频带的微波中继系统中使用的MET其MTTF在220万小时以上,在超高频卫星电视装置及各种无线电装置中已开始使用MET并取得较好效果。
Abstract：[1] 福田益美,“半导体装置”特公昭45-2807,特许603669号
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基本信息:
DOI：10.13250/j.cnki.wndz.1974.10.001
引用信息:
[1]福田益美,王长河.高可靠网状发射极晶体管[J].半导体情报,1974(10):1-10.DOI:10.13250/j.cnki.wndz.1974.10.001.
1974-10-28
1974-10-28