1998,
03,
非掺锑化镓抛光工艺研究
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DOI:
发布时间：
1998-06-27
出版时间：
1998-06-27
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摘要：
分析了非掺锑化镓单晶片的化学抛光机制和影响获得表面质量良好的非掺锑化镓单晶片的因素，得到了非掺锑化镓的抛光工艺参数。利用该工艺可以制备表面光洁、平整、无缺陷的非掺锑化镓单晶抛光片。
Abstract：The mechanism of CMP of non doped GaSb and affecting factors is analysed.The parameters of non doped GaSb polishing are obtained.Using this technology the smoothness,flatness,and non defect non doped GaSb surface can be produces.
参考文献
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基本信息:
中图分类号:TN305.2
引用信息:
[1]樊成才,李忠义,孔峰.非掺锑化镓抛光工艺研究[J].半导体情报,1998(03).
发布时间：
1998-06-27
出版时间：
1998-06-27