1994,
05,
通过量子阱异质结中最佳带隙偏移改善量子阱激光器的性能
基金项目(Foundation):
邮箱(Email):
DOI:
发布时间：
1994-10-28
出版时间：
1994-10-28
| 57 | 0 | 20 |
| 下载次数 | 被引频次 | 阅读次数 |
摘要：
我们分析了量子阱异质结的带隙偏移对量于阱（ＱＷ）激光器性能的影响。表明，除了应变之外，带隙偏移的优化也能改进ＱＷ激光器的性能，尤其是能够同时达到超低阈值电流和高速。改进步骤是从减少ＱＷ激光器填充态开始，因为在光限制区导带结构和价带结构的不对称性可以通过ＱＷ异质结的最佳带隙偏移来补偿。其结果为设计高性能的ＱＷ激光器以及其它有源激光器件提供了设计规范。
Abstract：Abstract
暂无数据
基本信息:
中图分类号:TN248.4
引用信息:
[1]李学颜.通过量子阱异质结中最佳带隙偏移改善量子阱激光器的性能[J].半导体情报,1994(05).
发布时间：
1994-10-28
出版时间：
1994-10-28