2014, 04, v.51;No.443 272-273
技术
基金项目(Foundation):
邮箱(Email):
DOI:
| 31 | 0 | 18 |
| 下载次数 | 被引频次 | 阅读次数 |
摘要：
<正>石墨烯片上生长纳米线获得特殊结构伊利诺伊大学的研究人员尝试在石墨烯上生长由InAs芯体和外壳构成的纳米线,其特性可满足许多先进的电子应用需求。研究小组使用范德华外延方法,以半导体材料为衬底自下而上生长纳米线。纳米线采用III-V族材料,其应用领域广泛,如太阳电池或激光器。该研究小组先前已报道了利用硅生长的III-V族纳米线。目前,该研究小组已采用InGaAs材料在石墨烯上成功生长出纳米线。由于石墨烯非常薄,具有良好的柔韧性,而硅则是刚性的,相对较脆。此外,石墨烯具有和金属媲美的导电性,可使该纳米线直接接电,其另一个优势是价格较低,可从石墨
Abstract：
暂无数据
基本信息:
中图分类号:TB383.1
引用信息:
[1].技术[J].微纳电子技术,2014,51(04):272-273.
发布时间：
2014-04-15
出版时间：
2014-04-15