1973,
08,
30-34
用液体包封技术制备无位错砷化镓单晶
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DOI:
10.13250/j.cnki.wndz.1973.08.003
发布时间：
1973-08-29
出版时间：
1973-08-29
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摘要：
用液体包封技术通过缩晶的手段已能生长无位错砷化镓单晶。已经发现晶体直径的缩细是降低位错的主要措施。熔体组分的化学配比不一定要很严格;只要它能充分维持一个合适的生长速率即可。接近固液交界面必须有一个低的温度梯度,而且这个低温度梯度可以由三氧化二硼包封层的本身来获得。三氧化二硼熔体不一定产生位错。单晶是在〔111〕以及〔100〕方向生长的。分别通过腐蚀(111)-Ga 面和(100)面来观察位错。发现籽晶的所有位错都是从缩颈部分向着晶体的表面消失。
Abstract：
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基本信息:
DOI：10.13250/j.cnki.wndz.1973.08.003
引用信息:
[1]刘旭东.用液体包封技术制备无位错砷化镓单晶[J].半导体情报,1973(08):30-34.DOI:10.13250/j.cnki.wndz.1973.08.003.
发布时间：
1973-08-29
出版时间：
1973-08-29