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<正> 一、前言栅网结构多沟道场效应晶体管(多沟道面结型——栅场效应器件)这是一种新型场效应晶体管,它是从另一种场效应管——Tecnetron(场控管)发展过来的。早在1930年李林费尔德和奥斯卡·黑尔等人就提出过用场效应原理来制作器件的设想。1948年肖克莱和皮尔逊等人用锗进行了实验,1952年肖克莱提出了结型场效应晶体管的理论。1955年达西和罗斯等人考虑到载流子迁移率随电场 E-1/2而变化的规律,从而修正了肖克莱的理论,并对器件样品进行分析,他的结论是:平面结构场效应器件
Abstract：1． W.Shockley,《PIRE》Vol.40,P.1365,1952． 11．
2． H.A.R.Wegener,《IRE Trans ED》Vol.ED-6,No.4,P.442,1959． 10．
3． S.Teszner,R.Gicouel,《PIEEE》,Vol.52,No.12,P.1502,1964．
4． J.R.Hauser,《Solid State Electronics》Vol.10,No.6,P.577,1967．
5． David,《L'Onde Electrique》,Vol.50,No.514,P.38,1970． 1．
6． R.Zuleeg,《Solid State Electronics》Vol.10,No.6,P.559,1967．
7． 美国专利 No.3274461．
8． 日本专利昭46-41654．
9． 西泽润一,《SIR 半导体研究所报告》,Vol.9,No.3,1971． 12．
10． S.Tesner,《IEEE Trans.ED》Vol.19,No.3,P.355,1972． 3．
11． W.G.Townsend,《Solid State Electronics》Vol.16,No.1,P.39,1973． 1．
12． 美国专利 No.3586931．
13． S.Teszner,《Annales des Télécommunications》Vol.26,No.7-8,P.303,1971．
14． 《Electronics》No.14,P.41,1972．
15． 西泽润一,《电子展望 IC 技术》No.6,P.63,1971．
16． S.Teszner,《L'Onde Electrique》Vol.41,No.409,P.307,1961． 4．
17． Dacey,Ross,《BSTJ》No.11,P.1149,1955．
基本信息:
DOI：10.13250/j.cnki.wndz.1973.11.001
引用信息:
[1]黄松章.栅网结构多沟道场效应晶体管[J].半导体情报,1973(11):1-18.DOI:10.13250/j.cnki.wndz.1973.11.001.
1973-11-27
1973-11-27